sic mosfet製程：第三代SiC MOSFET 提供高效能
第三代SiC MOSFET 提供高效能
SiC晶圓製造究竟難在哪？
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PVT法生長的SiCk單晶一般是短圓柱狀，柱狀高度(或長度)在20mm以內，需要透過機械加工整形、切片、研磨、拋光等化學機械拋光和清洗等製程，才能成為元件 ...
使用SiC技術攻克汽車挑戰
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SiC的導熱率是矽的三倍。以意法半導體研發的SiC MOSFET為例，即使在攝氏200度以上時，SiC MOSFET也能保持高效能之特性。 WInSiC4AP專案的SiC MOSFET開發主要在2018年進行。
功率電晶體的結構與特長比較
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使用的製程技術不同結構也不同，因而電氣特長也不同。補充說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通 ...
從原理到實例：詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率
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本文對Si和SiC進行簡要比較，介紹Cree/Wolfspeed的SiC元件範例，並說明如何使用此類元件進行設計。 ... 首先要清楚瞭解相關技術和術語：採用SiC架構的FET是MOSFET，就像之前 ...
碳化矽晶圓
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由於碳化矽在高電壓工作環境下的表現優異，SiC MOSFET被視為可有效取代Si IGBT ... 製程技術： Cu Pillar Bump, Solder Bump, RDL, Ball Placement等凸塊技術。 關於頎 ...
碳化矽材料於功率元件之應用
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本文將從SiC材料的固態結構論起，述及SiC基板製作技術、磊晶成長技. 術、製程模組技術及SiC功率元件發展現況，最後展望未來SiC ... 大於1000V時，理論上SiC MOSFET之特. 性會 ...
第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析
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前言 碳化矽(SiC)功率電子是加速電動車時代到來的主要動能。以SiC MOSFET取代目前的Si IGBT，不僅能使切換損失降低80%以上，大幅縮減電力移轉時的能源損耗 ...
第三代半導體產業動態解析：SiC晶圓供應成IDM業者競爭關鍵
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... SiC晶圓，藉此開發出專為國防航太與無線通訊所專用的RF元件，以因應更為高頻與高速的無線網通應用。 宏觀來說，功率元件的種類除了傳統矽製程的MOSFET ...