high k metal gate優點：High kmetal gate 金氧半場效電晶體熱載子可靠度研究The ...

32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手

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360°科技－High

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k值越高，電晶體之電容值也越高，使得電晶體能正確的切換於”開”或”關”狀態。 同時一種相容於High-k介電質之上的金屬閘極(Metal Gate)，Intel 於2003年提出 ...

High

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因其具備了低製造成本、較低的功率損耗且易微縮化等優點。然而在傳統電晶體的尺寸持續微縮下，會面臨到短通道效應，如：punch-through、DIBL，甚至會有直接穿隧的閘極 ...

HKMG(High

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采用金属栅的难点之一是当它们暴露在源/漏形成阶段的高温下时会熔化。但若使栅在源和漏之后形成，就会失去自对准的优点。为了避免这一难题，Intel首先形成 ...

hkmg和sion工艺是什么hkmg工艺的优势和缺点

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hkmg（High-k Metal Gate）和sion（Silicon Oxynitride）是集成电路制造中常用的两种工艺。hkmg工艺利用高介电常数的金属栅极材料以及氧化物绝缘层来 ...

Low k、High k到底在幹嘛？

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High k能減少閘極漏往基極的電流，可節省晶片的功耗用電，使晶片更省電運作。 High k材質既然能提供更佳的絕緣性，那麼SOI的絕緣層也可以使用，將二氧化矽 ...

淺談先進電晶體：新一輪晶片製程中，誰勝出？有何發展趨勢？

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... high-k／metal gate），介電層的k 值愈大，氧化層電容（Cox）愈大，電晶體電流愈大，且可在相同的等效氧化層厚度（equivalent oxide thickness, EOT ...

高介電係數介電質與金屬閘極製程技術之研究與應用

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In this dissertation, we will investigate the application of several high-k dielectric and metal gate process technologies. First of all, we will study the ...

高介電常數金屬閘極（High

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高介電常數金屬閘極（High-k Metal Gate, HKMG）和鰭式場效電晶體（FinFET）的結構與成份分析 · 市售IC 的橫截面TEM 影像 · (a) 40 nm 平面式HKMG · (b) 電 ...