磊晶原理：晶圓薄膜epi
晶圓薄膜epi
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有機金屬氣相磊晶系統及技術簡介
https://www.tiri.narl.org.tw
... 磊晶(MOVPE) 系統之構造及其基本原理。自. 1968 年Manasevit 發明此種磊晶技術以來，由於MOVPE 系統可以大量成長化合物半導體磊. 晶片，又由於臺灣的LED、HBT、LD 產業 ...
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碳化矽晶圓製程與磊晶品質分析
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原理為將高純碳化矽粉末原料放置於石墨坩堝中，在負壓或惰性氣體(低壓氬氣)的環境下加熱至1,800˚C以上，使碳化矽粉末原料因受熱分解昇華成Si、C、Si2C及 ...
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磊晶
https://www.appliedmaterials.c
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磊晶(晶體)
https://zh.wikipedia.org
磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶 ...
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磊晶氧化物薄膜的製成
https://www.tiri.narl.org.tw
其工. 作原理是利用分子沉積在石英晶體上時石英晶體的. 質量改變，石英振盪器的振盪頻率會隨之改變。經. 由輸入被蒸鍍物質的密度，以(1) 式換算後可得到. 薄膜厚度，由公式 ...
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第二章 實驗原理
https://ir.nctu.edu.tw
在磊晶的. 過程中，GaN 會先從Window 位置往上成長形成條狀的結構，從側面看可能. 呈現三角形或梯形，此時我們可以調變溫度與壓力來使GaN 側向成長，之. 後彼此接合並朝著+ ...