bit line word line原理:圖解RAM結構與原理,系統記憶體的Channel、Chip與Bank

圖解RAM結構與原理,系統記憶體的Channel、Chip與Bank

圖解RAM結構與原理,系統記憶體的Channel、Chip與Bank

2014年5月31日—bank再往下分拆就是實際儲存位元的電路,一般來說橫向選擇排數的線路稱為row(rowenable、rowselect、wordline),直向負責傳遞訊號的線路為column( ...。其他文章還包含有:「DRAM原理转载」、「NANDflash原理」、「不同类别存储器的基本原理」、「第二十一章記憶體電路」、「終於!有人講懂了DRAM和SRAM!」、「記憶體Memory」、「靜態隨機存取記憶體」

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DRAM原理转载
DRAM原理转载

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Bitline,即位线,它是外界访问Storage Capacitor 的唯一通道,当Access Transistor 导通后,外界可以通过Bitline 对Storage Capacitor 进行读取或者写入 ...

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NAND flash原理
NAND flash原理

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page是NAND Flash上最小的讀/寫單位(一個page上的單元共享一根字元線Word line),塊是最小的擦除單位。(不同廠牌不同型號顆粒有不同的page和block大小).

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不同类别存储器的基本原理
不同类别存储器的基本原理

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通过NOR FLASH的结构原理图,可见每个Bit Line下的基本存储单元是并联的,当某个Word Line被选中后,就可以实现对该Word的读取,也就是可以实现位读 ...

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第二十一章記憶體電路
第二十一章記憶體電路

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(1) 連接整橫列所有位元的導線稱為字組線(word line)。當一組列位址傳來時,. 圖21-8 一個2M 列2N 行之陣列組成的2M+N 位元記憶體晶片 ...

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終於!有人講懂了DRAM和SRAM!
終於!有人講懂了DRAM和SRAM!

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然後,打開Word Line讓選中的電容連接到Bit Line上面,如果原本的內容是1,則Bit line的總電壓將會小幅攀升。否則,則會小幅下降。再通過差分放大器,將 ...

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記憶體Memory
記憶體Memory

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靜態隨機存取記憶體
靜態隨機存取記憶體

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訪問SRAM時,字元線(Word Line)加高電位,使得每個基本單元的兩個控制開關用的電晶體M5與M6導通,把基本單元與位元線(Bit Line)連通。位元線用於讀取或寫入基本 ...