薄膜沉積原理：前言

前言

。其他文章還包含有：「2」、「Thin」、「先進半導體沉積和蝕刻設備技術發展與產業觀察」、「化學氣相沉積設備運作原理、優缺點與應用一次了解」、「常用的鍍膜製程」、「薄膜」、「越薄越好，3D薄膜製程大挑戰：淺談原子層沈積技術」

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薄膜的沉積過程若僅使用氬氣等非反應性氣體作為入射離子. 源，則為非反應性濺射。當被電場加速的離子到達濺射靶面時，將在. 靶面附近被由電場發射出來的電子所中和 ...

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大部份的薄膜皆是以物理或化學的方法，將欲做成薄膜的物. 質，分解為原子、分子或其少數個的集合體(cluster)，使其在. 基板上結合或凝結而成。薄膜沈積過程常在無大氣之 ...

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主要的薄膜設備包括物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)，PVD的原理是材料在高真空的環境中，從高純度靶材濺射到基板上；CVD的原理是化學前驅物被通入 ...

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化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD）是一種常見的薄膜成長技術，通常用於固體表面上製造具有特定性質和厚度的薄膜。使用化學氣相沉積設備 ...

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(3) 沉積薄膜的蒸氣壓應足夠低，以保證在整個沉積. 反應過程中，沉積的薄膜能維持 ... PECVD的沈積原理與一般的CVD之間並沒有太大的差異。電漿中的反. 應物是化學活性較高 ...

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化學沉積的原理是使流體在固體基體表面發生化學變化從而在原有表面上留下了一個固體層。由於流體是環繞於固態基體的，這使得沉積可以在所有表面都發生而幾乎沒有方向性。

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ALD藉由將材料一層一層成長在基板表面，雖然在成長速度上比傳統的物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition, PVD)與化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition, CVD)薄膜製程 ...