碳化矽 IGBT：Tesla減少碳化矽用量替代方案有解
Tesla減少碳化矽用量替代方案有解
SiC-MOSFET的特徵
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由於Si越是高耐壓的元件、每單位面積的導通電阻變高(以耐壓的約2～2.5倍增加)，600V以上的電壓則主要使用IGBT(絕緣閘雙極電晶體)。 IGBT因為是傳導度調變，藉由注入少數載 ...
SiC與IGBT將具爆發性成長法人按讚朋程
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博世將停產標準型二極體，對朋程有利；朋程加大對茂矽下單，茂矽2024年營運將好轉，對朋程也有利；工業SiC認證進度快，將於2024年開始貢獻營收；2027年 ...
SiC還是IGBT，新能源汽車如何選？
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碳化矽可用於設計單極器件，例如高壓MOSFET，理論上不產生尾電流。因此，相比於矽IGBT，碳化矽MOSFET 有更低的開關損耗和更高性能的體二極體，從而實現更 ...
投身車電領域的入門課：IGBT 和SiC 功率模組
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憑藉出色的效率特性，碳化矽功率半導體不僅有助於節省成本，而且能夠提高電動汽車充電器、太陽能轉換器、電動汽車和動力電子設備等多種應用的系統性能。
投身車電領域的入門課：IGBT和SiC功率模組
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相較於IGBT，SiC模組的差異在於：. ˙ 滿負載時損耗降低70%，低負載時損耗更低，因此在相同的負載範圍內可以使用更小的電池。 ˙ 在負載損耗降低的同時， ...
碳化矽如何將再生能源系統的效率提升到最高
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與傳統的矽電源開關 (如IGBT）相比，SiC 電源開關在高功率再生能源中具有多項性能優勢。 第一個性能優勢是相對於IGBT 具有更低的電阻和電容，這可以減少 ...
碳化矽如何將再生能源系統的效率提升到最高
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與傳統的矽電源開關 (如IGBT）相比，SiC 電源開關在高功率再生能源中具有多項性能優勢。 第一個性能優勢是相對於IGBT 具有更低的電阻和電容，這可以減少 ...
與IGBT的區別
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・SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，導通電阻特性的變化呈直線型，因此在低電流範圍優於IGBT。 ・SiC-MOSFET的開關損耗大大低於IGBT。