mim半導體:絕緣體-金屬(mim)電容器之半導體裝置及其製造方法
絕緣體-金屬(mim)電容器之半導體裝置及其製造方法
Intel 架構日端出SuperFin 與Super MIM,先進製程電晶體 ...
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△接近電晶體的互連層,SuperFin 降低阻障層厚度,降低通孔電阻30%,上方則是透過Hi-K 介電材料,於MIM ... MIM 電容,擁有5 倍的容值,降低電壓驟降 ...
MIM 電容元件漏電,用這五步驟速找異常點
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宜特科技實驗室就發現,一旦MIM 電容元件發生漏電、變形等異常,將使得IC 無法正常運作,甚至造成結構脫層現象。 然而MIM 發生的異常位置,卻可能被金屬層 ...
MIM電容元件漏電,用這五步驟,速找異常點
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MIM電容元件(金屬絕緣層金屬Metal-Insulator-Metal) ,不僅應用在RF IC ... 半導體元件參數分析(IV-Curve) · 雷射光束電阻異常偵測(OBIRCH) · 晶片去層 ...
MIM電容結構下電極材料特性與漏電流關係之研究
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工學院半導體材料與製程設備學程. 關鍵字: 金屬-介電層-金屬電容;氮化鈦溫度;MIM電極;MIM漏電流;MIM崩潰電壓;MIM Capacitor;Metal Insulator Metal Capacitor;MIM ...
合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬
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... MIM capacitor將有明顯的幫助,目前國際上並未被詳細探討,此領先國際創新構想對業界下世代之MIM capacitor將有明顯的幫助。 應用範圍. DRAM、eDRAM、矽半導體製程所 ...
後段製程(beol)側壁金屬-絕緣體-金屬(mim)電容器
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IC元件100的互連堆疊110包括位於半導體基板(例如已切割矽晶圓)102上的多個BEOL導電互連層(M1、……、M9、M10)。半導體基板102支撐金屬-氧化物-金屬(MOM)電容器130。
科普:MOM,MIM和MOS电容有何区别?
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MIM电容(Metal-Insulator-Metal):MIM电容相当于一个平行板电容,最顶层二层金属间距较大,形成的电容容值很小,MIM电容一般由最顶层二层金属和中间特殊 ...
鈦酸鍶高介電常數介電質於MIM 電容之應用
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... MIM 的電容結構,並利用金屬的高. 功函數降低傳統金屬-絕緣層-半導體(metal-insulator-silicon, MIS)之間能帶差. (Band off-set)較低而產生的漏電流。此技術將可滿足ITRS ...
電漿蝕刻MIM薄膜電容之製程技術應用與研究
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金屬-絕緣層-金屬電容在半導體晶片上的應用日益廣泛,隨著市場上的電子產品要求更小的尺寸,更強大的功能,驅使設計發展出新的電晶體結構及使用到特殊材料(如介電常數 ...