氧化亞銅半導體:氧化銅(Copper(II) Oxide)
氧化銅(Copper(II) Oxide)
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... 氧化亞銅薄膜均為p-type 半導體,計算. 其載子濃度顯示在35 °C 成長之薄膜為4.16 × 1016 cm-3,比65 °C 成長之氧化亞銅高約10. 倍(6.01 × 1015 cm-3 )。採用氙燈(強度在 ...
以化學浴沉積法製備CuO與Cu₂O及其特性分析
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氧化銅(CuO)與氧化亞銅(Cu₂O)為p型的直接能隙半導體材料,其能隙分別為1.3eV及2.1eV,並能和n型半導體材料(如:二氧化鈦、氧化鋅等)結合形成異質接面結構,目前已廣泛 ...
半導體材料及奈米粒子的各種性質皆與其表面的晶面有極大的
http://elte-nthu.hct.tw
近期研究發現,半導體材料及奈米粒子的各種性質皆與其表面的晶面有極大的. 關係,如氧化亞銅(Cu2O)的導電性、光催化活性及光學性質都表現出晶面效. 應。氧化亞銅有立方體 ...
反應濺鍍氧化亞銅薄膜特性研究
https://ndltd.ncl.edu.tw
氧化亞銅為一直接能隙(2.0eV)的半導體材料,具有在可見光區內高吸收係數、低製造成本、無毒性且在地球上含量豐富之優點。其光電特性使其可應用於光敏元件及氣體感測器 ...
氧化亞銅
https://zh.wikipedia.org
氧化亞銅是化學式為Cu2O的無機化合物。它是銅的主要氧化物之一,另一種是氧化銅(CuO)。這種紅色固體是一些抗附著漆的成分。根據顆粒的大小,該化合物可能呈現黃色或紅色。
氧化亞銅太陽電池製作及其晶面再成長實驗
https://www.mxeduc.org.tw
如果溫度. 過低則會形成黑色氧化銅(CuO),它無半導體的特性,是不會照光產生光電子的。 所以燒結溫度及時間對氧化亞銅光電池的製作扮演著很重要的角色。另外對晶體. 生長 ...
氧化鋅與氧化亞銅摻雜半導體材料特性分析研究
https://www.airitilibrary.com
摘要. 在本論文中,首先我們描述利用常壓式有機金屬化學氣相沉積來製備氧化鋅(ZnO)薄膜,其研究重點聚焦在正型氧化鋅之薄膜成長與特性探討,在Si(111)基板上沉積摻雜砷的正 ...
濕式製程成長氧化亞銅薄膜及熱退火處理對薄
http://ir.nptu.edu.tw