ald製程：ALD
ALD
ALD
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ALD 製程會直接在晶片表面逐漸形成物質，一次形成一小部份單層，以便生產出最薄、最均勻的薄膜。製程的自限特性以及均勻沉積的相關能力是成為微縮與三維推手的重要基礎。
原子層沉積之前驅物技術
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ALD製程中，前驅物分子會於基材表面反應形成單層薄膜，因此在分子的設計上需要有高反應性、高熱穩定性、低副產物殘留等要素，才能有效應用於ALD領域。
原子層沉積技術之發展與應用
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本文將詳細介紹ALD 製程的原理，並根據筆者多年的經驗，. 由製程機制與設備設計等不同的觀點，探討各項影響薄膜沉積結果的關鍵因素。除此之外，本文 ...
原子層沉積技術設備發展與相關產業應用
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原子層沉積(ALD)技術如今備受重視，主要得益於積體電路工業的奈米製程發展對ALD的需求增加，其中已有多項關鍵薄膜製程從傳統CVD或PVD方式改由ALD取代 ...
原子層沉積系統(ALD)設備簡介
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製程腔體. − 原子層沉積系統有兩個製程腔體，分別作為高介電常數介電層薄膜沉積. (HfO2、Al2O3)與金屬薄膜沉積(TiN)。 − 薄膜沉積為熱反應方式，非電漿增強型原子層 ...
原子層沉積系統(Atomic Layer Deposition
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1. 試片區域為4吋晶圓大小。 · 2. 腔體製程最高溫度：200 ℃。 · 3. 目前以沉積氧化物薄膜為主，可提供前驅物製作HfO2、ZrO2薄膜。 · 4. 使用的氣體包括：Ar、 ...
原子層沉積系統原理及其應用
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這篇文章將詳細介紹製程原理、儀器設備與半導體工業上的應用。 Atomic layer deposition (ALD) has attracted a lot of attention recently for its excellent deposition.
越薄越好，3D薄膜製程大挑戰：淺談原子層沈積技術
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原子層沈積(Atomic Layer Deposition, ALD) 是一種可以將材料一層一層成長的薄膜製程技術，一般常見的ALD製程由四個步驟組成，以成長材料AB為例(圖一)，(a)首先將含有A成分 ...