C4 製程:覆晶接合

覆晶接合

覆晶接合

2.需較高成本.量產製程是否被採用取決於成本。IBM的C4技術已被採用數十年,.因其用於高功能系統較不受成本的限制。而在消費性產品如相機、攝.影機及電腦等則有體積 ...。其他文章還包含有:「先進封裝之互聯材料技術」、「先進封裝當道!3DIC全介金屬化合物銲點最新發展」、「國內專注於凸塊的廠商」、「覆晶(Flipchip)封裝之非流動型底膠(Underfill)材料技術的...」、「覆晶封裝技術之應用與發展趨勢」、「覆晶技術」、「覆晶...

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先進封裝之互聯材料技術
先進封裝之互聯材料技術

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目前主流的錫球凸塊,又稱為C4 (Controlled Collapseof Chip Connection) Bump,在間距縮小時會產生橋接等問題。為了滿足高密度元件的封裝需求,引進新的 ...

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先進封裝當道!3D IC全介金屬化合物銲點最新發展
先進封裝當道!3D IC全介金屬化合物銲點最新發展

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舉例來說,在14 奈米的製程條件下,以Chiplets 架構生產的IC,相較於一般系統單晶片(SoC) 設計作法,可節省高達50% 左右的成本。因此,先進封裝技術已 ...

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國內專注於凸塊的廠商
國內專注於凸塊的廠商

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覆晶(flip chip)技術起源於1960年代,當時IBM開發出所謂之C4 ... 製程、設備等研發與應用。 廣義的覆晶技術泛指 ... 技術發展的主要關鍵為高密度基板、覆晶植 ...

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覆晶(Flip chip)封裝之非流動型底膠(Underfill)材料技術的 ...
覆晶(Flip chip)封裝之非流動型底膠(Underfill)材料技術的 ...

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覆晶封裝是將矽晶片的主動面朝下固定在基板上,該技術為IBM公司在1960年所開發的可掌控熔塌焊接高度之覆晶互連技術,俗稱C4最為有名。

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覆晶封裝技術之應用與發展趨勢
覆晶封裝技術之應用與發展趨勢

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覆晶封裝技術始於1960年代,當時IBM為了大型電腦的組裝,而開發出了所謂的C4(Controlled Collapse Chip Connection)技術,隨後進一步發展成可以利用熔融凸塊的表面 ...

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覆晶技術
覆晶技術

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覆晶封裝技術是將晶片連接到銲錫凸塊(Solder Bump),然後將晶片翻轉過來使凸塊與基板(substrate)直接連結而得其名。覆晶技術除了具有提高晶片腳位的密度之外,更可以 ...

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覆晶接合銲錫隆點之製程及以真空技術製作之
覆晶接合銲錫隆點之製程及以真空技術製作之

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術就已經被IBM公司研發成功,並稱做C4技術. 【3】,. (Controlled Collapse Chip Connection) 其製. 程是以真空蒸鍍配合金屬光罩(Mask)製作高鉛. 含量的銲錫隆點。相較於其他 ...

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高階IC封裝技術演進趨勢分析
高階IC封裝技術演進趨勢分析

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FC封裝技術最早是由IBM公司於1961年發展出來,名為C4(Controlled Collapse Chip Connection)製程技術,將晶片上用蒸鍍方式做好錫鉛凸塊(Solder Bump) ...