C4 製程：覆晶接合
覆晶接合
先進封裝之互聯材料技術
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目前主流的錫球凸塊，又稱為C4 (Controlled Collapseof Chip Connection) Bump，在間距縮小時會產生橋接等問題。為了滿足高密度元件的封裝需求，引進新的 ...
先進封裝當道！3D IC全介金屬化合物銲點最新發展
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舉例來說，在14 奈米的製程條件下，以Chiplets 架構生產的IC，相較於一般系統單晶片(SoC) 設計作法，可節省高達50％ 左右的成本。因此，先進封裝技術已 ...
國內專注於凸塊的廠商
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覆晶(flip chip)技術起源於1960年代，當時IBM開發出所謂之C4 ... 製程、設備等研發與應用。 廣義的覆晶技術泛指 ... 技術發展的主要關鍵為高密度基板、覆晶植 ...
覆晶(Flip chip)封裝之非流動型底膠(Underfill)材料技術的 ...
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覆晶封裝是將矽晶片的主動面朝下固定在基板上，該技術為IBM公司在1960年所開發的可掌控熔塌焊接高度之覆晶互連技術，俗稱C4最為有名。
覆晶封裝技術之應用與發展趨勢
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覆晶封裝技術始於1960年代，當時IBM為了大型電腦的組裝，而開發出了所謂的C4（Controlled Collapse Chip Connection）技術，隨後進一步發展成可以利用熔融凸塊的表面 ...
覆晶技術
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覆晶封裝技術是將晶片連接到銲錫凸塊（Solder Bump），然後將晶片翻轉過來使凸塊與基板（substrate）直接連結而得其名。覆晶技術除了具有提高晶片腳位的密度之外，更可以 ...
覆晶接合銲錫隆點之製程及以真空技術製作之
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術就已經被IBM公司研發成功,並稱做C4技術. 【3】,. (Controlled Collapse Chip Connection) 其製. 程是以真空蒸鍍配合金屬光罩(Mask)製作高鉛. 含量的銲錫隆點。相較於其他 ...
高階IC封裝技術演進趨勢分析
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FC封裝技術最早是由IBM公司於1961年發展出來，名為C4（Controlled Collapse Chip Connection）製程技術，將晶片上用蒸鍍方式做好錫鉛凸塊（Solder Bump） ...