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EUV反射鏡配置、包含EUV反射鏡配置之光學系統以及操作包含EUV反射鏡配置之光學系統的方法

本發明有關EUV反射鏡配置、包含EUV反射鏡配置的光學系統、及之操作光學系統的方法。一個較佳應用領域是EUV微影。其他應用領域在EUV顯微學(EUV microscopy)及EUV遮罩量測學(EUV mask metrology)中。

時下盛行的微影投影曝光方法用於生產半導體組件及其他精細結構化的組件。在此例中，利用載有或形成要成像之結構的圖案(pattern)(如，一層半導體組件的線圖案)的遮罩(mask)(光罩(reticle))或其他圖案化裝置。在投影曝光設備中，圖案定位在照射系統(illumination system)及投影透鏡(projection lens)之間而在投影透鏡之物體表面(object surface)區域中，及用照射系統提供的照射輻射加以照射圖案。被圖案所更改的輻射作為投影輻射穿過投影透鏡，該投影透鏡將圖案成像於要曝光的基板(substrate)上，該基板塗布有輻射敏感層(radiation-sensitive layer)。

借助照射系統照射圖案，照射系統將來自主要輻射源之輻射形成照射輻射，該照射輻射被引導於圖案上，及其特徵為特定照射參數，及在已定義之形式及大小的照射場(illumination field)內撞擊(impinge)在圖案上。在照射場內，應出現預定的局部強度分布(local intensity distribution)，一般預計此分布應儘可能一致。

一般而言，取決於要成像的結構類型，使用不同的照射模式(所謂的「照射設定」)，其特徵為照射輻射在照射系統之光瞳表面(pupil surface)中的不同局部強度分布。藉此可在照射場中預先決定特定照射角分布或角空間中撞擊強度的特定分布。

為了能夠生產更精細的結構，已想盡各種方法。舉例而言，藉由擴大投影透鏡的影像側數值孔徑(image-side numerical aperture，NA)，可增加投影透鏡的解析度能力(resolution capability)。另一方法在於採用較短波長的電磁輻射。

如果嘗試藉由增加數值孔徑來改良解析度，則可因可達到...