薄膜電阻 製程:薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別

薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別

薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別

1.膜厚的區別:厚膜電路的膜厚一般大於10μm,薄膜的膜厚小於10μm,大多處於小於1μm.·2.製造工藝的區別:厚膜電路一般採用絲網印刷工藝,薄膜電阻採用的是真空蒸發,磁控 ...。其他文章還包含有:「CN100382203C」、「CN1581370A」、「Ta」、「晶片電阻製程中厚膜印刷之免試印作業探討」、「薄膜整合被動元件發展概況」、「薄膜電阻」、「薄膜電阻」、「電阻是什麼?」

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CN100382203C
CN100382203C

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如台湾第86113162号专利案所揭露,厚膜电阻的电阻膜是利用网框印刷在陶瓷基板上,再经由干燥、高温(如900℃)烧结等制程而成。电阻膜厚约5到10μm以上且其材质为由玻璃和导电 ...

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CN1581370A
CN1581370A

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最后,把光阻由电阻膜上剥除(Strip),再依序形成保护层、端面电极来构成薄膜电阻。 相较于需要高温烧结的厚膜电阻制程,薄膜电阻制程多可控制于400℃的温度以下,其薄膜成份 ...

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Ta
Ta

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研究主要探討不同成份比例Ta-N薄膜經熱處理200℃~1000℃之晶體結構及顯微結構變化,及其對電阻率、電阻溫度係數的變化。 在OES(%)值於100%至70%之間,薄膜的厚度隨OES(%) ...

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晶片電阻製程中厚膜印刷之免試印作業探討
晶片電阻製程中厚膜印刷之免試印作業探討

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傳統薄膜電阻為以人工插件方式之接腳型電子元件,在組裝上不僅耗費人力且有體積. 大、不易散熱等缺點[6],而應用表面粘著技術之厚膜晶片電阻器乃為因應資訊、通訊.

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薄膜整合被動元件發展概況
薄膜整合被動元件發展概況

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薄膜電阻則. 是使用類似半導體的製造方式,在真空. 的環境下將所需的電阻材料沈積於陶瓷. 或矽基板上,並經由一連串的曝光、蝕. 刻、雷射切割製程而成的電阻元件。其. 生產 ...

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薄膜電阻
薄膜電阻

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薄膜電阻是以濺鍍法(sputtering)的製程來製作電阻膜,而厚膜電阻是以印刷燒結的方式來製作電阻膜。厚膜與薄膜電阻的差異在於精準度,厚膜電阻的誤差容忍值 ...

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薄膜電阻
薄膜電阻

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... 薄膜電阻採用的是真空蒸發、磁控濺射等工藝方法。 厚膜電阻和薄膜電阻在材料和工藝上的區別直接導致了兩種電阻在性能上的差異。厚膜電阻一般精度較差,10%,5%,1%是 ...

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電阻是什麼?
電阻是什麼?

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電阻是什麼? 製造流程範例 · 厚膜晶片電阻器遭到突波破壞 · 焊接破裂導致晶片電阻電阻值不良 · 厚膜晶片電阻器破壞由硫化 · 關於底面安裝低阻值電阻的優點 · 過負載引起的損壞 ...