化學蝕刻：蝕刻
蝕刻
Ch9 Etching
http://homepage.ntu.edu.tw
蝕刻(Etching). ▫. 表面物質去除化的製程: 化學蝕刻、物理蝕刻、複合蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻或整面全區蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. ▫.
Etch
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蝕刻製程會移除晶圓表面的特定區域，以沉積其它材料。 「乾式」(電漿) 蝕刻主要用於形成電路的製程步驟；「濕式」蝕刻(使用化學槽浴) 則用於清潔晶圓表面。
必須將已曝光的部分從晶圓上除去，蝕刻製程的功能
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濕蝕刻是將晶片浸沒於適當的化學溶液中，或將化學溶淬噴灑至晶片上，經由溶液與被蝕刻物間的化學反應，來移除薄膜表面的原子，以達到蝕刻的目的。乾式蝕刻（又稱電漿蝕刻） ...
晶圓製程中的乾蝕刻與濕蝕刻是什麼?
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當蝕刻種源為薄膜所攜著時，晶圓板表面便將引起化學反應，反應後之物質將自表面脫離並循排氣排至外部，藉此進行蝕刻。 乾式蝕刻中，為使能夠獲得與感光圖 ...
蝕刻
https://zh.wikipedia.org
乾式蝕刻：透過電漿的解離，形成離子與物質表面進行化學反應或是物理轟擊，屬於非等向性的蝕刻。 濕式蝕刻：利用化學的液體與物質進行化學反應。屬於等向性的蝕刻。
蝕刻
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乾式蝕刻：透過電漿的解離，形成離子與物質表面進行化學反應或是物理轟擊，屬於非等向性的蝕刻。 濕式蝕刻：利用化學的液體與物質進行化學反應。屬於等向性的蝕刻。
蝕刻技術
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濕式蝕刻法(Wet Etching). 濕式蝕刻法利用化學溶液. 腐蝕晶圓上擬去除的材料. ，並在完成蝕刻反應後，. 由溶液帶走腐蝕物。這種. 完全利用化學反應的方法. 來進行蝕刻的 ...
蝕刻輪廓
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表面物質去除化的製程. • 化學蝕刻、物理蝕刻、複合蝕刻. • 選擇性蝕刻或整面全區蝕刻. • 選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. 蝕刻輪廓.
辛耘知識分享家
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乾蝕刻（Dry etching）是一種常用於微電子製程中的表面處理技術，用於在固體材料表面上創建微細的結構和圖案。它是一種非液體化學蝕刻方法，使用高能粒子 ...