擴散製程原理：第八章離子佈植

Ch5 Oxidation and Diffusion (氧化與擴散)

http://homepage.ntu.edu.tw

擴散摻雜製程. ▫. 預積(Pre-deposition): B2H6 + 2 O2 → B2O3 + 3 H2O. 2 B2O3 + 3 Si → 3 SiO2 + 4 B. ▫. Thermal oxidation: remove un-reacted gas, oxide ...

半導體產業及製程

http://140.118.48.162

IC process 基本製程. 黃光. 薄膜. 蝕刻. 植入. 光阻去除. 流程. 說明. 圖釋. 薄膜(Thin_film). 1.化學氣相沉積(CVD). 2.金屬濺鍍(PVD). 3.擴散(Diffusion). 黃光(PHOTO).

半導體製程(二)

https://www.macsayssd.com

​此步驟會透過光罩和透鏡讓部分光阻被光(紫外線)照射而發生化學變化。光罩上有設計好的圖案，光在通過光罩後，就會只留下沒被圖案擋住的部分，緊接著又被透鏡聚縮到晶圓上 ...

半導體製程技術

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1. 擴散區(diffusion)：. 進行高溫製程、薄膜沈積、成長氧化層。 2. 微影區(photolithography, 又稱黃光區)：. 此區採用黃光螢光燈管照明，因為光 ...

半導體製程與原理

http://eportfolio.lib.ksu.edu.

微機電系統技術與應用

https://www.tiri.narl.org.tw

這些解可用來作為我們對於擴散製程的基本認識，及作為實際分布圖的粗略近似。 ... 一種傳統的作法是同時使用這兩種擴散，先預置擴散，再做驅入擴散。 ... 在介紹製程本身之前， ...

擴散接合

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製程 編輯 · 在兩物件的表面完全貼合之前，兩者微觀尺度的表面粗糙突起（asperity）先彼此接觸並塑性變形，當粗糙突起（asperity）變形時，同時也會形成突起處相連的介面。

氧化與擴散

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氧化與擴散. Oxidation and Diffusion. 主題 • 高溫化學氣相沉• 硬體設備積法(CVD) – 磊晶矽沉積• 氧化 – 多晶矽沉積• 擴散– 氮化矽沉積• 退火• 快速加熱製程(RTP)