半導體擴散製程：半導體製程技術
半導體製程技術
Ch5 Oxidation and Diffusion (氧化與擴散)
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擴散摻雜製程. ▫. 預積(Pre-deposition): B2H6 + 2 O2 → B2O3 + 3 H2O. 2 B2O3 + 3 Si → 3 SiO2 + 4 B. ▫. Thermal oxidation: remove un-reacted gas, oxide ...
先進半導體沉積和蝕刻設備技術發展與產業觀察
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半導體關鍵製程包括沉積、光阻塗佈、曝光、蝕刻、離子佈植、拋光、擴散、清洗等。以設備而言，沉積設備市場約占總半導體設備市場25%；蝕刻設備則約 ...
半導體產業及製程
http://140.118.48.162
IC process 基本製程. 黃光. 薄膜. 蝕刻. 植入. 光阻去除. 流程. 說明. 圖釋. 薄膜(Thin_film). 1.化學氣相沉積(CVD). 2.金屬濺鍍(PVD). 3.擴散(Diffusion). 黃光(PHOTO).
半導體製程(二)
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鋪字訣的目的是在晶圓上鋪上一層薄膜。依照不同用途，這層薄膜可以是二氧化矽、氮化矽、多晶矽等絕緣體，也可以是金屬。下面舉例幾個常用的製程。 ... 把晶圓放入烤爐，並通 ...
半導體製程與原理
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製程及原理概述. 半導體工業的製造方法是在矽半導體上製造電子元件(產品包括:動態記憶體、靜態記億體、微虛理器…等)，而電子元件之完成則由精密複雜的 ...
微機電系統技術與應用
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在此製程中，摻質從晶片表面之無窮源. (infinite source) 擴散進入半導體中。表面濃度為固體溶解率所限制，而擴散分布圖之深度由. 擴散時間及摻質之擴散係數決定。理論上 ...
氧化與擴散
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製程• 矽烷(SiH4) 或二氯矽烷(DCS,SiH2Cl2) 做為矽源氣體. • 氮氣做為清洗氣體• 三氫化砷(AsH3), 三氫化磷(PH3),和氫化硼 (B2H6)用 ...
第八章離子佈植
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• 快速加熱退火的製程(RTP)是很廣泛的使用在佈植後的. 退火程序. • RTA 是很快速(100 to 150 °C/sec),且較好的溫度均勻性. 控制,同時可減少摻雜物的擴散. 多晶矽. 矽. 高溫 ...