sc2 clean原理：濕式化學品在半導體製程中之應用

RCA Clean製程

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國立交通大學奈米中心濕式清洗蝕刻台操作講義20150420

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5、SC1 和 SC2 要分兩個 Hood 加熱，不只是節省時間，因為揮發的氣體會產生氯化銨鹽顆粒，造成 bench 污染【 NH4OH + HCl => NH4Cl (微粒污染) + H2O】。 ¾ SC1 去除微粒子 ...

實驗一熱電性質與四點探針方法

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SC: Standard Clean. RCA清洗是在1965年，由美國RCA公司(Radio Corporation of America)的. Werner Kern首度提出，當時只有五個步驟: SC1, DHF, SC2, DI water, and drying.

最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)

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RCA 濕式清潔法使用於兩種不同化學配方溶液，也. 就是標準清潔液1(SC-1)及標準清潔液2(SC-2)。 標準清潔液1(standard clean 1)為NH4OH/H2O2/H2O. 比例為：1:1:5 至1: ...

濕式清洗蝕刻台

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5. SC1 和SC2 要分兩個Hood 加熱，不只是節省時間，因為揮發的氣體會產生氯化銨鹽顆粒，造成bench 污染NH4OH + HCl => NH4Cl (微粒污染) + H2O。 6. SC1 ...

第四课：详解湿法刻蚀与清洗的基本药液

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SC2 清洗液是盐酸、双氧水和水的混合物，三者的体积比例为1:1:50。 SC2清洗液的主要功能是清除晶片上的金属离子。其清洗机理是其能提供一个低PH值的环境， ...

臭氧水已廣泛地被應用在許多半導體製程當中。然而

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... Clean程序中沖洗(Rinsing)的水量達30%. □ 臭氧傳輸. 臭氧化DI水製作過程中最關鍵的步驟便是臭氧由氣相傳輸至液相的過程。將臭氧由氣相傳輸至液相的濃度極大化對於降低 ...

辛耘知識分享家

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鹽酸、雙氧水、純水的混和液，在75 或80 °C下清洗。這種處理有效地去除了金屬（離子）污染物的殘留，並在晶圓表面留下一層薄鈍化層，保護表面免受後續污染 ...