長晶方法：循環矽材–碳化矽之開發
循環矽材–碳化矽之開發
4 單晶生長
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此外，一些新式的CZ 長晶法也陸續被開發出來，其中MCZ 方法是用外加磁場來抑. 制矽溶湯內的對流，以降低矽晶棒內的氧含量，及藉由矽熔湯溫度穩定度的提高 ...
TWI701363B
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矽單晶長晶方法包含：執行準備步驟，其包含：以坩堝盛裝熔湯，並且讓坩堝及熔湯皆不設置在任何磁力裝置的磁場範圍內；以及執行矽單晶長晶步驟，其包含：以拉提元件接觸熔湯 ...
外加水平式磁場柴氏法生長單晶矽之熱流場及氧雜質傳輸 ...
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柴氏長晶法是目前最常用來生長矽晶體的方法，但其長晶過程中容易產生氧雜質，影響晶體品質，過去多以調整長晶參數的方式，進行製程優化，但目前該方法已無法解決， ...
柴可拉斯基法
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... 晶材料的晶體生長方法。這個方法得名于波蘭科學家揚 ... 直拉法最重要的應用是晶錠、晶棒、單晶矽的生長。其他 ... 用於切割成晶圓的晶錠長達2米，重達幾百千克。更大的 ...
第3類半導體晶片怎麼做？基板難在哪？圖解生產流程
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... 長晶（生長碳化矽單晶）做起，作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐，在高溫且密閉的空間使其昇華，讓晶源粉末的蒸汽冷凝後，附著在碳化矽晶種上。 碳化矽的長晶 ...
第二十三章半導體製造概論
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二、晶圓製造（Wafer manufacture）. （一）長晶（CRYSTAL GROWTH）. 長晶是從矽砂中（二氧化矽）提煉成單晶矽，其製造過程是將矽石（Silica）或矽酸鹽（. Silicate）如同 ...
長晶的奧祕
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防水紙盒:可用大型鋁包即可,因析出的晶體會緊密的附著在容器上. 以燒杯生長則必須要打破燒杯來取出晶種。 此長晶種方法是運用溶解生長,生長一次可得平均30至40顆晶種。 (二) ...
長晶製程參數智能化解析──斷線率改善與控制
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CZ 長晶法又稱為直拉法，由波蘭科學家Jan Czochralski 於. 1916 年提出，可簡單分為以下幾個步驟：填料(Stacking Charge)、熔融. (Meltdown)、晶頸生長(Neck Growth)、晶冠 ...