半導體元件物理施敏pdf
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施敏. 伍国珏《半导体器件物理》,西安交通大学出版社,. 2008. S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Second. Edition, Jahn Wiley & Sons, Inc. 1981.
【专业课教材】《半导体器件物理(第3版)》-中文版
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已上传-半导体器件物理(第3版)-中文版-施敏-高清版.pdf (17.19 MB, 下载次数: 4419). 2015-6-7 11:09 上传. 点击文件名下载附件. 小柒啊. 写了 656 篇文章 ...
半导体器件物理--施敏--中文版
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半导体物理与器件pdf施敏
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半導體元件物理與製作技術-第三版epub pdf txt mobi 電子書下載-灣灣書站. 施敏教授從事元件及製程之研究與發展迄今五十餘年,以「非揮發性記憶體」的發明,
半導體元件物理學第四版(上冊)
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施敏教授為半導體元件作出了根本的開創性貢獻,特別是共同發現導致第四次工業革命的浮閘記憶體效應。施博士著作等身,曾撰寫、合著和編輯了四百多篇論文和十六本書。
半导体器件物理(第3版)-中文版-施敏
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半导体器件物理(第3版)-中文版-施敏-高清版.pdfpdf. 1星 发布者: flexbuilder. 2019-08-29 | 1积分 | 17.19MB | 1088次下载. 下载 收藏 评论. 文档简介. 标签: 射频.
半導體元件物理與製作技術(第二版)
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本書是施敏教授所著,由美國Wiley 公司於2002 年出版之Semiconductor. Devices Physics and Technology 第二版之中譯本。 作者施敏曾服務於美國貝爾實驗室,在金半接面、 ...
半導體元件物理與製作技術施敏pdf
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半導體元件物理學第三版(上下冊). 作者:施敏,伍國珏著;張鼎張,劉柏村譯. 新竹市:國立交通大學, 本書為半導體元件領域的標準教科書,從.
第一章晶體性質與半導體成長
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第四章半導體內的過量載電粒子. 總結. 4.1過量載子是指比平衡狀態還要高的載子濃度,. 主要是由摻雜所貢獻可用照光(或在元件上施. 主要是由摻雜所貢獻,可用照光(或在元件 ...
電子與半導體微學程:半導體元件物理
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本課程的內容由淺而深循序漸進,從基礎的物理和電容結構的基本運作,接續討論MOSFET及NVSM之結構與操作,可讓修課的學生一窺半導體最重要元件的奧妙。 本課程主要針對的 ...