半導體 金屬化製程
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Ch11 Metallization
http://homepage.ntu.edu.tw
接觸窗金屬化製程的演變. Al·Si·Cu. SiO2. SiO2. Void. Al·Si·Cu. SiO2. Si. Al·Cu. W. 大開口的接觸窗. PVD 金屬可填入. 小開口的接觸窗. PVD 金屬填入. 產生空洞. 小開口 ...
MOSFET正面金屬化製程(FSM)的兩種選擇
https://www.istgroup.com
正面金屬化製程是MOSFET晶圓薄化的一個關鍵製程，由於MOSFET具備高開關切換速度，低輸入阻抗與低功率耗損之特性，必須承受大電流，因此在製程上，必須使用銅夾 ...
MOSFET正面金屬化製程比一比：濺鍍vs.化鍍
https://www.eettaiwan.com
正面金屬化製程的目的，就是藉由濺鍍或化鍍方式形成凸塊下金屬層，接著做銅夾銲接，以降低導線電阻。本文將完整描述正面金屬化的關鍵兩道製程：濺鍍與化鍍 ...
TWI637431B
https://patents.google.com
本發明提供一種晶背金屬化製程，包括：提供一晶圓；於晶圓之背面形成一種子層；以及利用化學鍍於種子層上形成一金屬層。
下一代積體電路金屬化製程技術
https://tpl.ncl.edu.tw
本文探討下一代積體電路元件金屬化技術之前段製程、後段製程,與兩者間之製程整合。在製. 程整合方面我們研究以不同氮流量比例下,在反應性濺鍍所沉積的氮化鉭薄膜 ...
晶背金屬化
https://www.lincotec.com
晶背金屬化是在電子設備製造過程中，在半導體基板（如矽晶片）或IC的背面以真空濺鍍的方式沉積一層或多層金屬層的工藝。該金屬層可做為接合/導熱用的金屬層，也可再接合基 ...
金屬化學氣相沈積在積體電路技術的發展
https://tpl.ncl.edu.tw
基本上,多重金屬內連 線的製作,是在元件的主體已完成之後才開始 的,因此這個製程,可以視為一獨立的半導體 製程,我們可稱為後段製程。 在後段製程中, 又以金屬化的問題最為 ...
金屬化製程
http://140.117.153.69
– 減低反射且改進金屬圖案化製程中之微影技. 術的解析度. – 防治小丘狀凸出物 ... • 經常在半導體廠中的金屬區間內進行. 50. Page 51. 薄片電阻. • 四點探針. • 廣泛地用 ...