接觸電阻公式
「接觸電阻公式」熱門搜尋資訊
分子科學研究所碩士論文
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四點探針儀器負責人
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電壓(V)，薄膜電阻率ρ則可由下列公式得到： ρ = Rs× T = [C.F.×(V/I)] ×T ρ為薄膜電阻率(μΩ-cm)；Rs 為片電阻(Ω/□)；T 為鍍膜厚度(cm)；而C.F.為校正因.
從「接觸電阻」到「海闊天空」
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導體的電阻R跟它的長度L、電阻率ρ成正比，跟它的橫截面積S成反比，公式爲R=ρL/S 。當然，電阻也會隨著溫度變化，對大多數導體來說，溫度越高，電阻越 ...
接觸電阻
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接觸，對導體間呈現的電阻稱為接觸電阻。 一般要求接觸電阻在10-20 mohm以下。 有的開關則要求在100-500uohm以下。有些電路對接觸電阻的變化很敏感。
接觸電阻
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相互接觸的導體之間呈現的電阻稱為接觸電阻。 一般要求接觸電阻在10-20 mΩ以下。 有的開關則要求在0.1-0.5Ω以下。有些電路對接觸電阻的變化很敏感。
極低蕭基位障與接觸電阻技術之研究(I)
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金屬/. 半導體接面因為功函數差異以及界面能態，會. 形成一能量障礙，稱為蕭基位障(Schottky barrier)，使得載子通過的時候，有一界面電阻，. 此電阻稱為接觸電阻(contact ...
歐姆接觸
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如果電流-電壓特性曲線不是線性的，這種接觸便叫做蕭特基接觸。典型的歐姆接觸是濺鍍或者蒸鍍的金屬片，這些金屬片通過曝光製程布局。低電阻，穩定接觸的歐姆接觸是 ...
第一章四點探針電阻量測
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其中，Rp 是探針電阻；Rc 為探針/半導體接面的接觸電阻；Rsp 試探針下方的 ... 公式的推導過程，我們就很清楚可看出，如此的量測的結果當然不會正確了。