晶圓切割製程
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「晶圓切割製程」文章包含有:「DBG(DicingBeforeGrinding)製程」、「TW201438078A」、「TWI460780B」、「大尺寸晶圓於封裝之切割成型製程改善研究」、「如何確保晶圓切割機的品質?」、「晶圆切割制程」、「第二十三章半導體製造概論」、「電漿蝕刻技術於晶圓切割產業之應用」
查看更多DBG(Dicing Before Grinding)製程
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DBG就是將原來的「背面研磨→切割晶片」的製程程序進行逆向操作,先對晶片進行半切割加工,然後利用背面研磨使晶片分割成晶粒的技術。經通運用該技術,能有效地抑制分割 ...
TW201438078A
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TWI460780B
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一般來說,上述的切割製程通常是先於晶圓的正面貼附研磨貼片(grinding tape),並研磨晶圓的背面,以減少晶圓的厚度。然後,移除研磨貼片。接著,於晶圓的背面貼附切割貼片( ...
大尺寸晶圓於封裝之切割成型製程改善研究
https://ndltd.ncl.edu.tw
在複雜的封裝技術製程中,其中最關鍵之製程為晶圓切割(Wafer Die- Saw) ,因晶圓晶片間之分佈更趨向短小密集化,使晶片與晶片間的切割道寬度由100um更縮小至55um; ...
如何確保晶圓切割機的品質?
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要得到更高的晶圓良率,除了要掌控周遭環境的可控因素,更必須要讓製程設備都能擁有穩定執行的能力,而晶圓切割機深切影響著晶片的質量,該如何確保切割機製程的穩定度 ...
晶圆切割制程
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一种晶圆切割制程,其是先提供晶圆。晶圆具有正面与背面。然后,于晶圆的正面贴附研磨贴片,并预切割晶圆的背面,以于晶圆的背面上形成多个切割道。接着,研磨晶圆的 ...
第二十三章半導體製造概論
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晶圓切割的目的乃是要將前製程加工完成的晶圓上一顆. 顆的晶粒(Die)切割分離。首先要在晶圓背面貼上膠帶( blue tape)並置於鋼製的框架上,此一動作叫晶圓黏 ...
電漿蝕刻技術於晶圓切割產業之應用
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一般晶圓製造的晶片分離方式主要以機械刀具或雷射方式來進行切割,以目前晶圓薄化的技術可將平均厚度為750 μm的矽晶圓減至120 μm,但對於機械式切割已開始伴隨著晶片機械 ...