氧化薄膜沉積薄膜

化學氣相沉積

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化學氣相沉積（英語：chemical vapor deposition，簡稱CVD）是一種用來產生純度高、效能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將 ...

半導體製程(二)

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依照不同用途，這層薄膜可以是二氧化矽、氮化矽、多晶矽等絕緣體，也可以是金屬 ... 讓幾種氣體發生化學反應，產生固體沉積物。此法可形成二氧化矽膜、氮化矽膜、多晶矽 ...

可印式氧化物半導體薄膜材料的應用

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... 沉積非晶矽薄膜在可撓基材上，採用滾筒式製程，如圖五所示，生產速率與投資成本則可降低。而若使用印製式的製程，則更能免去真空沉積系統的使用，將 ...

氧化物薄膜電晶體

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磊晶氧化物薄膜的製成

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分子磊晶法屬於物理氣相沉積的. 一種，它是利用超高真空極少雜質的環境，使得殘. 餘氣體對薄膜的污染減到最低，再將物質以分子的. 形式沉積在基板上。在這種超真空的環境 ...

薄膜

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沉積材料有鋁、鋅、金、銀、白金、鎳等金屬材料與可產生光學特性薄膜的材料，主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2等氧化物與氟化物。沉積除金屬外，樹脂和樹脂與玻璃也可以 ...

薄膜製程

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... 薄膜在基板. 上可以進行氧化或氮化學反應. ▫ 溫度在70-140oC之間。 溫度在70 140 C之間. ▫ 成膜速率TiO2可達5nm/s及SiO2 15nm/s. ▫ 可用來作冷光鏡之 ...