氧化鋅半導體
「氧化鋅半導體」熱門搜尋資訊
Mn
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上製備摻雜Mn 之ZnO 薄膜，期望藉由Mn 之. 摻雜製備磁性與半導體的光電性質良好共存的. 材料，並探討摻雜Mn 與熱處理條件對ZnO 薄. 膜之組成、晶體結構、導電特性、 ...
不同維度氧化鋅材料之製備與特性分析
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氧化鋅為一寬能帶間隙Ⅱ-Ⅵ族半導體材料，並且在不同維度具備非常吸引人的特性。例如在室溫時，光波長範圍0.4~2 um有很高的光穿透性、高壓電性、擁有較大的電光係數、 ...
以射頻磁控濺鍍法製備低阻值之P型氧化鋅薄膜
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氧化鋅(ZnO)為目前很有潛力的光電半導體材料之一，具有易蝕刻、無毒性、價廉等優點，由於目前的ZnO多屬於n-type的半導體氧化物，如果能成功研發p-type的ZnO與n-type ...
國立交通大學材料科學與工程研究所
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本論文以水溶液法在氧化鋅摻雜鋁(ZnO: Al, AZO)基材上，合成出高順. 向性一維氧化鋅奈米陣列，探討 ... 氧化鋅屬於II-VI 族半導體，未摻雜之純氧化鋅薄膜阻值較高， ...
氧化鋅
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氧化鋅是一種寬帶隙半導體材料，室溫下帶隙約3.3eV，激子束縛能高達60meV，有望取代GaN成為做紫外光LD和LED的材料。在光電子領域有重要應用。
氧化鋅光電半導體能隙調整及磊晶成長研究(I)
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ZnO 寬能隙氧化物半導體(Eg = 3.37 eV)，具有優越的光電特性。在光電元件應用上之半導體材料，必須具有磊晶與能隙調整兩者之材料成長之技術。在ZnO 能隙調整方面， ...
氧化鋅摻雜改質與奈米結構之製程與光電特性研究
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氧化鋅是一種直接能隙N-type 半導體，具有較寬的能隙(約3.37eV)及較高的激子結合能(約60meV)，非常適合作為短波長髮光材料及紫外光雷射。 為了要整合ZnO nanorods or ...
水溶液法成長氧化鋅薄膜及其薄膜電晶體製作
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國立交通大學工學院專班半導體材料與製程設備組. 中文摘要. 本論文主要是研究以新穎且對環境無害的水溶液方法來成長氧化鋅薄膜。本. 實驗共分氧化鋅、氧化鋅摻雜鎂元素 ...
第一章緒論
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半導體材料中的氧化鋅(ZnO)是屬於非等方向性(anisotrobic)晶系，成. 長一維奈米結構主要是以材料本身非等方向性之特性[19]，藉由控制參數. 來改變成長方向與速度，快速成長 ...