障壁電壓公式

Ch. 05 二極體特性02

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... 電壓降(即障壁電壓). 愈低。 在常溫25℃時，鍺二極體之順向電壓降約0.3V，而. 矽二極體的順向電壓降約為0.7V 。 當溫度每上升1℃時，鍺二極體之順向電壓降低 ...

https

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P

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空乏區內的離子所產生阻止電子與電洞通過接合面的力量，稱為「障壁電. 位（Potential barrier）」，一般而言，Ge 的P-N 接合面的障壁電位約為. 0.2~0.3V，Si 的P-N 接合面 ...

pn接面二極體的動作原理

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當電源之電位能可以完全克服PN接面的電位障壁時，則電流會明顯上升。 空乏區的寬度會隨著順向電壓的上升而減少。

Semiconductor Note. PN…

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二極體的P-N接面處於順向偏壓(forward bias, Vf)時，必須有相當的電壓被用來貫通空乏區，此電壓就稱為障壁電壓，矽二極體的障壁電壓約0.6V～0.7V，鍺二極 ...

二極體特性

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存在一個切入( 膝點) 電壓( 即障壁電壓). 鍺約0.2V. 矽約0.7V. 當外加電壓< 切入電壓， I d. =0. 當外加電壓> 切入電壓， I d. 快速上升. Page 5. 5. 二極 ...

第二章

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解矽質二極體每當溫度增加1℃時，切入電壓V D 下降約2.5mV ... 0.7V – (85℃ – 25℃ ) × 2.5mV/℃ = 0.55V。 ... 室溫25℃下，鍺質二極體之障壁電壓為0.3V，若溫度升至85℃，則障壁 ...

電子學考前筆記整理

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... 公式2020-04-26 第六章新增歐力效應的考慮> 筆記正式 ... 5. 區域內不含任何的電子與電洞，只有正離子與負離子3. 障壁 ... 電壓等於輸出電壓且同相，也就是電壓增益為1。 !

飽和電流

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分別是空穴和電子的載流子壽命。 ... 這裡的k 是波茲曼常數，約為8.617 343(15)×10−5 eV/K， T 是絕對溫度， VB 是二極體的障壁電壓。 ... 是二極體的理想因子。