BGBM
「BGBM」熱門搜尋資訊
MOSFET 晶圓後段製程(BGBM)
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宜特導入專業人才與先進製程，協助您最短時間內完成晶圓薄化與背金增長(BGBM) · 背銀厚度達15um及多種正面金屬製程方案 · 完整而廣泛的一站式服務 ...
先進封裝製程WLCSP
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BGBM製程的簡介BGBM為Backside Grinding (晶背研磨) & Backside Metallization (晶背金屬化)兩種連續性的製程縮寫，稱為晶圓背面研磨和晶背金屬化， ...
晶圓後段製程(BGBM)
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ProPowertek 宜錦導入專業人才與先進製程， 協助您最短時間內完成晶圓薄化與背金增長(BGBM) · 多種研磨製程解決方案 · 多種背金解決方案 · 背銀厚度達15um甚至可客製化到 ...
BGBM 晶圓薄化一般研磨Wafer ThiningNon
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完整的BGBM製程，第一步是晶圓薄化，在研磨(Grinding) 及蝕刻後，可為客戶提供厚度達到僅100um的厚度，並利用晶背溼蝕刻(Backside Wet Etching) 進行晶片表面厚度再減薄、 ...
1.5 mil 晶圓薄化新挑戰如何在Taiko BGBM 製程提升晶片強度?
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1.5 mil 晶圓薄化新挑戰如何在Taiko BGBM 製程提升晶片強度? · 2mil、1.5 mil、0.4mil晶圓薄化，透過掃描式電子 · 使用控片測得2mil、1.5 mil、1.5 mil最佳化條件 · 透過 ...
「Bgbm」找工作職缺
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104 人力銀行 · 8/31. 擴散後段製程工程師 · 10/04. 技術員(四班二輪) · 10/01. 廠務運轉輪班工程師/助理工程師 · 10/02. 品保檢驗助理工程師 · 贊助. 外場服務生招募月薪 ...
功率MOSFET的FSM與BGBM製程改善
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Power MOSFET在完成了前段Foundry FAB的製程後，緊接著還要在Top Metal上製作圖形化正面金屬(FSM)、晶圓薄化並將背面鍍上金屬後(BGBM)，進行CP測試.
FSM & BGBM
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Features. Wafer Size: 8-inch(200mm); Metal: Ti/ NiV/ Ag; Ti/Cu, layer thickness could be adjusted to fit demand. BG Thinning ability: 12 inch wafer : Min.
MOSFET BGBM製程
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