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Dechuck

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3D NAND 笔记--
3D NAND 笔记--

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在一般制程中,加载3600v 电压来吸附,工艺结束时,有两种方法来进行静电释放,一种为plasma dechuck, 即产生出等离子体来中和wafer上所携带的电荷,另一 ...

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Dechuck control method and plasma processing apparatus
Dechuck control method and plasma processing apparatus

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A dechuck control method includes performing a discharge process by introducing an inert gas into a processing chamber and maintaining the pressure within ...

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TWI502681B
TWI502681B

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... (Dechuck 1)」(在解除夾持製程開始時的一初始降低功率設定,其使電漿反應器安定化),以及「DC2」係表示「解除夾持2(Dechuck 2)」(顯示在解除夾持期間的功率設定)。 以下 ...

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■ 什麼是靜電吸盤What is Electrostatic Chuck?
■ 什麼是靜電吸盤What is Electrostatic Chuck?

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​(1) 為​ “庫倫力型” 靜電吸盤。 (2) 本靜電吸盤研發改進數十年,擁有數十項國際專利,優越的吸附能力和特性為同類產品之佼佼者。 (3) 以電極裡印加電壓的方式實現安定吸附 ...

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半导体中dechuck是什么意思
半导体中dechuck是什么意思

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chuck 是在半导体制造和封测过程中使用夹具治具fixtures和各种工装的统称,也是个工序; dechuck就是除去卸下排除chuck的动作工序; 以上工序在国际上的 ...

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半导体干法刻蚀中dechuck 所用气体是如何选择的?
半导体干法刻蚀中dechuck 所用气体是如何选择的?

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为了提高刻蚀精度,工程师可能会选择使用氟化氢气体作为刻蚀气体,并调整气体流量来控制刻蚀速度。同时,为了保护晶体管表面的品质,工程师可能会选择加入 ...

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除電參數分析及實驗設計於晶圓蝕刻後之偏移量改善研究
除電參數分析及實驗設計於晶圓蝕刻後之偏移量改善研究

https://ndltd.ncl.edu.tw

... (Dechuck)程序之反向電壓來消除ESC與晶圓間的靜電電荷,以利電性中和,能讓頂針能順利將晶圓頂起。若是反向電壓或其他環境參數未達到平衡時,容易造成晶圓拖片、滑片 ...

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靜電吸盤的基本構造和原理
靜電吸盤的基本構造和原理

https://k-max0.webnode.tw

1。種類:基本分為兩類。 · 2。兩類吸盤都靠靜電荷的同性相吸來固定Wafer。 · 3。吸盤與晶片接觸的表面有一層電介質。 · 4。在吸盤的電介質層中鑲嵌著一個直流電極(大小與硅 ...