SRAM Vcc min
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「SRAM Vcc min」文章包含有:「一种sram关键电压参数的测试分析方法及系统」、「ReducingVCC」、「集成电路模拟方法与系统、静态随机存取存储器设计方法」、「Sram位元線及寫入輔助設備與用於降低動態功率和峰值電流...」、「SRAMHTOLVccminshiftanalysisforprocesscontrol」、「TimedependentVccmindegradationofSRAMfabricated...」、「CY7C1041GN」、「CN102024819B」
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现有技术中针对SRAM的Vccmin等关键电压参数的测量,每一颗芯片仅得到一个相应电压值,该电压值来自测试时某个存储单元(bit)出现数据读写功能失效时的相应电压值。例如 ...
Reducing VCC
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The main technique consists of visual examination using the Field View in RNi™ to locate endpoints on the first metal layer that are over 10 ohms. This can be ...
集成电路模拟方法与系统、静态随机存取存储器设计方法
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最小供应电压(Vccmin)的电压为从SRAM存储器单元读取数据的最小电压与向SRAM存储器单元写入数据所需的最小电压中的较高值。由于最小供应电压(Vccmin)会影响SRAM的功效与可靠 ...
Sram位元線及寫入輔助設備與用於降低動態功率和峰值電流 ...
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如上所述,隨著程序技術縮小(或縮減),SRAM胞元陣列在操作電壓之典型電源(Vcc)處不再具有足夠讀取和寫入邊界,除非使用特殊電路(例如,第2圖之寫入輔助電路200)來輔助讀取 ...
SRAM HTOL Vccmin shift analysis for process control
https://ieeexplore.ieee.org
Our work provides a correlation study between package level SRAM HTOL Vccmin shift and process controlling & process reliability evaluation. Based on the ...
Time dependent Vccmin degradation of SRAM fabricated ...
https://ieeexplore.ieee.org
Abstract. We present the results of simulations of voltage-induced Vccmin drift of SRAMs fabricated with high-k gate dielectrics. We show that high-k based ...
CY7C1041GN
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为了确保器件正常工作,线性VCC 必须在> 100 μs 的时间内从VDR 上升到VCC(min) 或者在> 100 μs 的时间内保持VCC(min) 的稳定状态。 10. 这些参数由设计 ...
CN102024819B
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本发明的SRAM位单元结构具有较低待机漏电流Isb、改善的Vcc,min用以降低待机耗电、与改善的存取速度(特别是读取动作时),同时维持公知半导体工艺技术用来制造集成电路的相 ...