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BGBM与CP技术
http://www.hymexa.com
BGBM与CP技术. 技术介绍. BG：是背面减薄(Backside Gridding)，采用In-Feed削磨的方式，将晶圆厚度减薄到目的厚度。提高芯片热扩散效率、电性能、机械性能，减小封装体积 ...
BGBM晶圓薄化一般研磨Wafer ThiningNon
https://www.istgroup.com
晶圓薄化(BGBM)的背面研磨製程中(Backside Grinding, BG)，利用研磨輪，進行快速而精密之研磨(Grinding) 後，再以蝕刻液進行表面微蝕刻，藉以去除因研磨產生的破壞層，並釋放應力。
FSM化鍍服務無縫接軌BGBM晶圓薄化製程
https://www.eettaiwan.com
同時為了協助客戶一站式接軌BGBM製程，在前端的正面金屬化製程(FSM)上，除了提供濺鍍沉積(Sputtering Deposition，下稱「濺鍍」)服務外，宜特更展開化鍍/無 ...
MOSFET 晶圓後段製程(BGBM)
https://www.istgroup.com
在前段晶圓代工廠完成晶圓允收測試(WAT)後，進行封裝(Assembly)，如何進行晶圓薄化與背金成長(BGBM)? · 宜特導入專業人才與先進製程，協助您最短時間內完成晶圓薄化與背金增長( ...
MOSFET你不了解的后端工艺(BGBM)
https://www.hi-semicon.com
而正面金属化工艺的目的，就是藉由溅镀或化镀方式形成UBM，接着做铜夹焊接(Clip Bond)，以降低导线电阻。 在使用夹焊(Clip Bond)时，由于铝垫上方必须 ...
先進封裝製程WLCSP
https://www.wpgdadatong.com
藉由使用晶圓薄化技術可提供積體電路高密度互連，大幅縮短導線或TSV間距，降低功率損失，並滿足元件封裝薄型化、小型化之需求，實現半導體元件性能全面提升之 ...
功率MOSFET的FSM與BGBM製程改善
https://www.edntaiwan.com
在完成了正面金屬化後，晶片開始進行晶背研磨及晶背成長金屬的步驟，也就是所謂的BGBM (Backside Grinding and Backside Metallization)，在此段製程中，由於 ...
國立臺灣大學工學院材料科學與工程學系(所) 博士論文
https://tdr.lib.ntu.edu.tw
相關的問題，使得在近年來BGBM(Backside Grinding & Backside Metallization)製程晶片與固液擴散接合(SLID)引起了學術界與產業界的極大興 趣，主要是因為在接合領域可以達 ...
微矽電子股份有限公司
https://www.twse.com.tw
• 晶圓薄化(BGBM/FSM). – 電子商品用電量持續提升，節能需求刺激晶圓薄化需求成長. – 微矽BGBM產能2024年持續擴產. – 微矽新製程FSM 2024年開始進入量產 ...
晶圓後段製程(BGBM)
https://www.propowertek.com
ProPowertek 宜錦導入專業人才與先進製程， 協助您最短時間內完成晶圓薄化與背金增長(BGBM) · 多種研磨製程解決方案 · 多種背金解決方案 · 背銀厚度達15um甚至可客製化到40um及 ...