euv光源
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Centura Tetra EUV 先進光罩蝕刻系統
https://www.appliedmaterials.c
極紫外線(EUV) 光罩是以新式微影系統，透過高能量、短波長的光源，將電路圖案轉印到晶圓。EUV 光源波長比目前深紫外線微影製程的光源波長短少約15 倍，因此能持續將線 ...
EUV是個什麼酷東西？ — 決定未來半導體先進製程的關鍵技術
https://semiknow-official.medi
... EUV 當作光源的光刻機，讓10奈米以下的電晶體不會出現繞射的現象、導致電路的失效，而最近艾司摩爾又開發出可商用的1 奈米製程曝光機，可以說是只有更 ...
全球瘋搶EUV 曝光機！究竟是摩爾定律的救命曙光
https://www.charmingscitech.na
極紫外光（Extreme ultraviolet, EUV）是波長小於13.5 奈米的光，使用EUV 作為光源的曝光機，即為EUV 曝光機。由於造價昂貴、製程繁複、貨源稀少 ...
挽救摩爾定律：ASML 極紫外光（EUV）微影技術量產的開發歷程
https://technews.tw
EUV 微影技術採用錫的電漿來產生波長為13.5 奈米的光源，以及用鉬矽多層反射薄膜來把光傳遞到晶片上。不同於一般的紫外光微影技術，EUV 微影技術得在低 ...
摩爾定律的華麗謝幕：EUV微影機
https://www.digitimes.com.tw
此時準分子雷射(excimer laser)的光源就應運而生了，它是利用惰性氣體與鹵素分子混合，藉由電子束的能量激發，而產生深紫外光的波長，如利用氟化氪(KrF) ...
极紫外光刻
https://zh.wikipedia.org
EUV微影製程選擇第二中作法,將光源波長降低13.5奈米來提升電路圖案解析度，由於EUV波長太短,非常容易被大氣吸收,因此此道製程需要在真空環境中完成。目前EUV微影製程機台由 ...
極紫外光微影製程
https://zh.wikipedia.org
EUV微影製程選擇第二中作法,將光源波長降低13.5奈米來提升電路圖案解析度，由於EUV波長太短,非常容易被大氣吸收,因此此道製程需要在真空環境中完成。目前EUV微影製程機台由 ...
藉助CO 2 高功率雷射系統和錫產生EUV輻射
https://www.trumpf.com
製造晶片時TRUMPF高功率雷射放大器發揮關鍵作用：因為藉助它可生成發光等離子體，從而提供極紫外光(EUV) 曝光晶圓。TRUMPF與全球最大的光刻系統製造商ASML以及光學元件製造 ...
陳明彰教授團隊─ 一光圈突破了桌上型極紫外光產生的能量 ...
http://web.ee.nthu.edu.tw
在高次諧波產生極紫外光(EUV)之過程中，較高光子能量的EUV轉換效率較低，故大多數桌上型高次諧波光源的應用僅僅限於光子能量較低的EUV。然而轉換效率低並非由於缺乏高亮度 ...