fsg半導體全名
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Case study 填縫能力是藉由晶粒缺陷來評估
https://www.cyut.edu.tw
IMD層的原料是氟矽玻璃(Fluorosilicate glass, FSG)。 FSG是一種含氟的氧化物，在氧化矽中加入氟會使介電質常數(dielectric constant)從3.9減少到3.5。
https
https://zhuanlan.zhihu.com
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TWI505431B
https://patents.google.com
... FSG)、高密度電漿(high-density plasma，HDP)氧化物、或電漿輔助四乙氧基矽烷(plasma-enhanced TEOS，PETEOS)。亦可實施一平坦化步驟(例如一化學機械研磨步驟)以平坦化 ...
TWI761234B
https://patents.google.com
閘極全環(gate-all-around, GAA)電晶體即為多重閘極裝置的範例，閘極全環電晶體已經成為廣受歡迎且備受期待的候選者，以用於高性能以及低漏電的應用。GAA電晶體得名自 ...
低介電係數材料
https://zh.wikipedia.org
低介電係數材料（low-K材料）是當前半導體行業研究的熱門話題。通過降低積體電路中使用的介電材料的介電係數，可以降低積體電路的漏電電流，降低導線之間的電容效應 ...
化學氣相沉積與介電質薄膜
http://140.117.153.69
確認至少四種化學氣相沉積(CVD) 的應. 用. • 描述CVD 製程順序. • 列舉兩種沉積區並描述它們和溫度之間. 的關係. • 列舉兩種介電質薄膜. 舉出兩種最常使用在介電質化學 ...
半導體裝置及其製作方法
https://ir.lib.nycu.edu.tw
【中文發明名稱】半導體裝置及其製作方法 ... 【技術領域】. 【0001】 本揭露係有關一種半導體積體電路,且特別是. 提供一種具有周邊全接觸結構之半導體裝置與其製作方法。
第十章介電質薄膜SiO
http://homepage.ntu.edu.tw
FSG. Cu. FSG. Cu. SiN. FSG. 34. PVD沈積Ta阻擋層與銅種晶層. Ta. FSG. Cu. Cu. Cu. FSG. FSG. SiN. Page 18. 35. 電化學鍍銅. FSG. Cu. SiN. Ta. FSG ... FSG. Cu. SiN. Ta.
關於我們– FuSa Group – 功能安全專家小組
https://fsg.tw
FSG（功能安全專家小組）是專門研究嵌入式功能安全的專家小組，集結了致力於提供功能安全認證相關專業知識、封裝方案、以及開發資源等，旨在為製造業的產品品質提升做出 ...
電漿增強型化學氣相沉積製程下具低介電常數氟矽玻璃銅 ...
https://www.airitilibrary.com
較常見的低介電材料主要有：二氧化矽(Silicon)、含氫矽酸鹽類(Hydrogen silsesquioxane)、含氟二氧化矽(Fluorinated silicate glass)、含碳二氧化矽(Organosilicate glass) ...