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「hemt中文」文章包含有:「高電子移動率電晶體」、「HEMT元件物語」、「增強型GaNHEMT的汲極電流特性」、「什麽是GaNHEMT?綜合指南和產品選型」、「利用HEMT和PHEMT改善無線通訊電路中的增益、速度和雜訊」、「高电子迁移率晶体管」、「甚麽是氮化鎵?氮化鎵(GaN)半導體詳解」、「HEMT」、「氮化矽閘極介電層MIS」
查看更多![高電子移動率電晶體](https://api.multiavatar.com/%E9%AB%98%E9%9B%BB%E5%AD%90%E7%A7%BB%E5%8B%95%E7%8E%87%E9%9B%BB%E6%99%B6%E9%AB%94+-+%E7%B6%AD%E5%9F%BA%E7%99%BE%E7%A7%91.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
高電子移動率電晶體
https://zh.wikipedia.org
高電子移動率電晶體(英語:High electron mobility transistor, HEMT),也稱調變摻雜場效電晶體(modulation-doped FET, MODFET)是場效應電晶體的一種,它使用兩種具有不同能隙的材料形成異質結,為載子提供通道,而不像金屬氧化物半導體場效電晶體那樣,直接使用摻雜的 ...
![HEMT元件物語](https://api.multiavatar.com/HEMT%E5%85%83%E4%BB%B6%E7%89%A9%E8%AA%9E.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
HEMT元件物語
https://www.digitimes.com.tw
HEMT (high electron mobility transistor),中文譯為「高電子移導率電晶體」,在人類的科技史上是一個很重要的發明。電子在半導體內跑得越快, ...
![增強型GaN HEMT的汲極電流特性](https://api.multiavatar.com/%E5%A2%9E%E5%BC%B7%E5%9E%8BGaN+HEMT%E7%9A%84%E6%B1%B2%E6%A5%B5%E9%9B%BB%E6%B5%81%E7%89%B9%E6%80%A7.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
增強型GaN HEMT的汲極電流特性
https://www.eettaiwan.com
基於氮化鎵(GaN)的增強型高電子遷移率電晶體(HEMT)可以採用兩種不同的結構開發出來。這兩種增強型結構是金屬-絕緣層- ...
![什麽是GaN HEMT?綜合指南和產品選型](https://api.multiavatar.com/%E4%BB%80%E9%BA%BD%E6%98%AFGaN+HEMT%EF%BC%9F%E7%B6%9C%E5%90%88%E6%8C%87%E5%8D%97%E5%92%8C%E7%94%A2%E5%93%81%E9%81%B8%E5%9E%8B.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
什麽是GaN HEMT?綜合指南和產品選型
https://epc-co.com
與傳統矽基電晶體相比,氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)具有多項基本優勢。GaN HEMT具有非常高的電子遷移率,無論是在開關速度、耐高溫和功率處理能力方面都表現 ...
![利用HEMT 和PHEMT 改善無線通訊電路中的增益、速度和雜訊](https://api.multiavatar.com/%E5%88%A9%E7%94%A8HEMT+%E5%92%8CPHEMT+%E6%94%B9%E5%96%84%E7%84%A1%E7%B7%9A%E9%80%9A%E8%A8%8A%E9%9B%BB%E8%B7%AF%E4%B8%AD%E7%9A%84%E5%A2%9E%E7%9B%8A%E3%80%81%E9%80%9F%E5%BA%A6%E5%92%8C%E9%9B%9C%E8%A8%8A.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
利用HEMT 和PHEMT 改善無線通訊電路中的增益、速度和雜訊
https://www.graser.com.tw
HEMT 和PHEMT 結構將移動載流子與摻雜離子物理隔離,並防止光學聲子和離子化雜質造成潛在的散射問題。 讓我們深入瞭解一下HEMTs 和PHEMTs 的結構。 HEMTs 和PHEMTs 用於 ...
![高电子迁移率晶体管](https://api.multiavatar.com/%E9%AB%98%E7%94%B5%E5%AD%90%E8%BF%81%E7%A7%BB%E7%8E%87%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%AE%A1+-+%E7%BB%B4%E5%9F%BA%E7%99%BE%E7%A7%91.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
高电子迁移率晶体管
https://zh.wikipedia.org
高电子迁移率晶体管(英语:High electron mobility transistor, HEMT),也称调制掺杂场效应管(modulation-doped FET, MODFET)是场效应晶体管的一种,它使用两种 ...
![甚麽是氮化鎵?氮化鎵(GaN)半導體詳解](https://api.multiavatar.com/%E7%94%9A%E9%BA%BD%E6%98%AF%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%EF%BC%9F%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%EF%BC%88GaN%EF%BC%89%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E8%A9%B3%E8%A7%A3.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
甚麽是氮化鎵?氮化鎵(GaN)半導體詳解
https://epc-co.com
氮化鎵(GaN)是一種非常堅硬且在機械方面非常穩定的寬能隙半導體材料。由於具有更高的擊穿强度、更快的開關、更高的熱導率和更低的導通電阻,氮化鎵基功率元件明顯比 ...
![HEMT](https://api.multiavatar.com/HEMT.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
HEMT
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高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor;HEMT) 又名調變摻雜場效應管(modulation-doped FET;MODFET),主要是以砷鎵鋁或砷化鎵等 ...
![氮化矽閘極介電層MIS](https://api.multiavatar.com/%E6%B0%AE%E5%8C%96%E7%9F%BD%E9%96%98%E6%A5%B5%E4%BB%8B%E9%9B%BB%E5%B1%A4MIS-HEMT%E5%85%83%E4%BB%B6%E7%89%B9%E6%80%A7%E5%88%86%E6%9E%90%E5%8F%8AMOS-+....png?apikey=viVnb6N20jclO8)
氮化矽閘極介電層MIS
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中文. 論文頁數: 76. 論文摘要氮化鎵與其他材料相比具有寬能隙、高崩潰電場、高電子飽和速度等優點,對於高功率、高頻及光學的應用上,氮化鎵是個非常良好的材料。 金半 ...