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「hemt中文」文章包含有：「高電子移動率電晶體」、「HEMT元件物語」、「增強型GaNHEMT的汲極電流特性」、「什麽是GaNHEMT？綜合指南和產品選型」、「利用HEMT和PHEMT改善無線通訊電路中的增益、速度和雜訊」、「高电子迁移率晶体管」、「甚麽是氮化鎵？氮化鎵（GaN）半導體詳解」、「HEMT」、「氮化矽閘極介電層MIS」
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高電子移動率電晶體
https://zh.wikipedia.org
高電子移動率電晶體（英語：High electron mobility transistor, HEMT），也稱調變摻雜場效電晶體（modulation-doped FET, MODFET）是場效應電晶體的一種，它使用兩種具有不同能隙的材料形成異質結，為載子提供通道，而不像金屬氧化物半導體場效電晶體那樣，直接使用摻雜的 ...
HEMT元件物語
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HEMT (high electron mobility transistor)，中文譯為「高電子移導率電晶體」，在人類的科技史上是一個很重要的發明。電子在半導體內跑得越快， ...
增強型GaN HEMT的汲極電流特性
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基於氮化鎵(GaN)的增強型高電子遷移率電晶體(HEMT)可以採用兩種不同的結構開發出來。這兩種增強型結構是金屬-絕緣層- ...
什麽是GaN HEMT？綜合指南和產品選型
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與傳統矽基電晶體相比，氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)具有多項基本優勢。GaN HEMT具有非常高的電子遷移率，無論是在開關速度、耐高溫和功率處理能力方面都表現 ...
利用HEMT 和PHEMT 改善無線通訊電路中的增益、速度和雜訊
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HEMT 和PHEMT 結構將移動載流子與摻雜離子物理隔離，並防止光學聲子和離子化雜質造成潛在的散射問題。 讓我們深入瞭解一下HEMTs 和PHEMTs 的結構。 HEMTs 和PHEMTs 用於 ...
高电子迁移率晶体管
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高电子迁移率晶体管（英语：High electron mobility transistor, HEMT），也称调制掺杂场效应管（modulation-doped FET, MODFET）是场效应晶体管的一种，它使用两种 ...
甚麽是氮化鎵？氮化鎵（GaN）半導體詳解
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氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩定的寬能隙半導體材料。由於具有更高的擊穿强度、更快的開關、更高的熱導率和更低的導通電阻，氮化鎵基功率元件明顯比 ...
HEMT
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高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor；HEMT) 又名調變摻雜場效應管(modulation-doped FET；MODFET)，主要是以砷鎵鋁或砷化鎵等 ...
氮化矽閘極介電層MIS
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中文. 論文頁數: 76. 論文摘要氮化鎵與其他材料相比具有寬能隙、高崩潰電場、高電子飽和速度等優點，對於高功率、高頻及光學的應用上，氮化鎵是個非常良好的材料。 金半 ...