high k metal gate原理
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淺談先進電晶體：新一輪晶片製程中，誰勝出？有何發展趨勢？
https://today.line.me
... 提升矽通道的遷移率，增加電流；二是高介電係數／金屬閘極（high-k／metal gate），介電層的k 值愈大，氧化層電容（Cox）愈大，電晶體電流愈大， ...
Low k、High k到底在幹嘛？
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High k能減少閘極漏往基極的電流，可節省晶片的功耗用電，使晶片更省電運作。 High k材質既然能提供更佳的絕緣性，那麼SOI的絕緣層也可以使用，將二氧化矽 ...
32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手
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high-k/metal gate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化，如圖一所示，藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流，使32nm以下大型積體 ...
High kmetal gate 金氧半場效電晶體熱載子可靠度研究The ...
http://140.117.153.69
價鍵，因此High k像是由許多的dipole所組成，而dipole受到溫度的影響而震盪則. 會產生電磁波，進而造成remote phnon scatter而使得mobility下降，再加上Si ...
HKMG(High
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按照这一想法采取的第一个步骤是大约在130nm工艺节点前后，人们引人了氮来形成氮氧化物( oxynitride)栅介质，称为氮氧化硅(SiON), 它能提供的K值为4.1-4.2 ...
高介電常數金屬閘極（High
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這類金屬閘極和高介電常數的絕緣氧化物都是多元素交錯沉積的層狀結構，其中每層材料的厚度極薄，通常都在1-2 nm 以下，因此在層狀厚度、介面平整度和成份 ...
高介電係數閘極介層技術
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高介電係數閘極介層(High Dielectric Constant Gate Dielectric)技術是半導體元件進入深 ... 氧化層厚度(Effective Oxide Thickness, EOT)，金屬閘極(Metal Gate) ...
HKMG: High
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首先普及一下，HKMG其實講的是兩個東西，一個是High-K，一個是Metal-Gate。前者是指柵極介質層，後者指柵極電極層。不要以爲是一個東西！
看過此文還不懂半導體制程發展史，小編我將吐血辭職…
https://www.gushiciku.cn
這個就叫做high-k，這裡的k是相對介電常數（相對於二氧化矽的而言）。 ... 第三， 也有很多資料提到了別的材料，譬如說TiN 系列作為metal gate；.
High kmetal gate 金氧半場效電晶體交流電壓下可靠度研究The ...
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而本專題探討high k/metal gate 金氧半場效電晶體可靠度進行探討，對. DC stress 以及AC stress 進行相同閘極 ... 2.2.1 Charge pumping 的方法與原理 ...