igbt規格
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600 V 75 A 100 nA IGBT 電晶體規格書
https://www.mouser.tw
600 V 75 A 100 nA IGBT 電晶體規格書. 產品(3); 規格書; 圖片 · 最新產品. 結果: 3. 已用篩選: 集電極-發射極最大電壓VCEO = 600 V 連續集電極電流在25 C = 75 A
650 V 120 A + 175 C IGBT Transistors IGBT 電晶體規格書
https://www.mouser.tw
650 V 120 A + 175 C IGBT Transistors IGBT 電晶體規格書 ; 集電極-發射極最大電壓 · 650 V ; 連續集電極電流在25 · 120 A ; 最高工作 · 175 C ; 產品 · IGBT Transistors
650 V 240 A IGBT 電晶體規格書– Mouser 臺灣
https://www.mouser.tw
650 V 240 A IGBT 電晶體規格書. 產品(4); 規格書; 圖片 · 最新產品. 結果: 4. 已用篩選: 集電極-發射極最大電壓VCEO = 650 V 連續集電極電流在25 C = 240 A
EL3120 IGBT Gate Drive Optocoupler 應用手冊
https://www.everlight.com
IGBT 擁有高輸入阻抗及低導通壓降(低導通阻抗)的優. 點，在一些高效率設備上通常會選擇IGBT 作為功率控制元件，例如電動車、馬達驅動器、風力/太. 陽能發電、再生能源逆變 ...
IGBT Transistors IGBT 電晶體規格書– Mouser 臺灣
https://www.mouser.tw
IGBT Transistors IGBT 電晶體在Mouser Electronics有售。Mouser提供IGBT Transistors IGBT 電晶體的庫存、價格和資料表。
IGBT 電晶體規格書– Mouser 臺灣
https://www.mouser.tw
IGBT 電晶體在Mouser Electronics有售。Mouser提供IGBT 電晶體的庫存、價格和資料表。 ... IGBT 電晶體規格書. 產品(1,691); 規格書; 圖片 · 最新產品. 結果: 1,395.
IGBT分離器件
https://effintech.com
宏微TO-247封裝的IGBT分離器件，採用自行開發的低Vce Trench IGBT晶片製作而成，目前提供電壓範圍650V和1200V的IGBT ... 規格表. TC = 25°C unless otherwise noted.
IGBT模組
https://macmicst.com.tw
所有宏微IGBT模組均採用最新的Trench Field-Stop晶片技術，確保能獲得低開關損耗和傳導。 ... 規格表. TC = 25°C unless otherwise noted.
Through Hole IGBT Transistors IGBT 電晶體規格書
https://www.mouser.tw
Through Hole IGBT Transistors IGBT 電晶體在Mouser Electronics有售。Mouser提供Through Hole IGBT Transistors IGBT 電晶體的庫存、價格和資料表。
正确理解IGBT模块规格书参数
http://www.igbt8.com
本文将阐述IGBT模块手册所规定的主要技术指标，包括电流参数、电压参数、开关参数、二极管参数及热学参数，使大家正确的理解IGBT模块规格书，为器件选型提供依据。