mos導通電阻公式
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![導通電阻| 電子小百科](https://api.multiavatar.com/%E5%B0%8E%E9%80%9A%E9%9B%BB%E9%98%BB%7C+%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%B0%8F%E7%99%BE%E7%A7%91-+Electronics+Trivia+%7C+%E7%BE%85%E5%A7%86%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E9%9B%86%E5%9C%98.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
導通電阻| 電子小百科
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MOSFET的消耗功率是用汲極-源極間導通電阻(RDS(ON))計算。 MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的導通電阻乘以汲極電流(ID)的平方表示 ...
![MOSFET主要參數解讀](https://api.multiavatar.com/MOSFET%E4%B8%BB%E8%A6%81%E5%8F%83%E6%95%B8%E8%A7%A3%E8%AE%80.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
MOSFET主要參數解讀
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RDS(ON):導通電阻,同樣條件下,RDS(ON)越小越好,RDS(ON)越小,導通損耗越小,MOS的參數ID就與RDS(ON)相關。RDS(ON),導通電流越大,同時溫升越低。 ID ...
![mos的導通電阻要如何求得?](https://api.multiavatar.com/mos%E7%9A%84%E5%B0%8E%E9%80%9A%E9%9B%BB%E9%98%BB%E8%A6%81%E5%A6%82%E4%BD%95%E6%B1%82%E5%BE%97%3F+-+AnalogRFIC%E8%A8%8E%E8%AB%96%E5%8D%80.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
mos的導通電阻要如何求得?
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... 電阻圖形發生突變,這時應該怎么辦呢? 我的方法是先求出電流的平均值,再用vin-vout/i 這個公式,不知是否正確. 回復 支持 反對. 使用道具 舉報. 顯身卡 ...
![功率MOSFET](https://api.multiavatar.com/%E5%8A%9F%E7%8E%87MOSFET+-+%E7%B6%AD%E5%9F%BA%E7%99%BE%E7%A7%91%EF%BC%8C%E8%87%AA%E7%94%B1%E7%9A%84%E7%99%BE%E7%A7%91%E5%85%A8%E6%9B%B8.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
功率MOSFET
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導通電阻. 編輯. 圖2:MOSFET的不同部份對導通電阻的貢獻. 當功率MOSFET在導通狀態時,在汲極和源極之間有電阻性的行為。在圖2中可以看到電阻(稱為RDSon,表示導通時,在 ...
![如何為邏輯電路或閘極設計選擇MOSFET](https://api.multiavatar.com/%E5%A6%82%E4%BD%95%E7%82%BA%E9%82%8F%E8%BC%AF%E9%9B%BB%E8%B7%AF%E6%88%96%E9%96%98%E6%A5%B5%E8%A8%AD%E8%A8%88%E9%81%B8%E6%93%87MOSFET.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
如何為邏輯電路或閘極設計選擇MOSFET
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汲極-源極導通電阻- Rds(on):導通時,汲極與源極之間存在電阻,而且此電阻會隨著閘極源極電壓(即Vgs) 的增加而減小。請選擇一個MOSFET,其最低Rds(on) ...
![選擇正確的MOSFET](https://api.multiavatar.com/%E9%81%B8%E6%93%87%E6%AD%A3%E7%A2%BA%E7%9A%84MOSFET.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
選擇正確的MOSFET
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MOSFET在「導通」時像一個可變電阻,由元件的RDS(ON)所確定,並隨溫度而顯著變化。元件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算,由於導通電阻隨溫度變化,因此功率耗損也會 ...
![了解提升功率密度的權衡與技術(Rev. C)](https://api.multiavatar.com/%E4%BA%86%E8%A7%A3%E6%8F%90%E5%8D%87%E5%8A%9F%E7%8E%87%E5%AF%86%E5%BA%A6%E7%9A%84%E6%AC%8A%E8%A1%A1%E8%88%87%E6%8A%80%E8%A1%93%28Rev.+C%29.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
了解提升功率密度的權衡與技術(Rev. C)
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通常以電阻乘以面積(Rsp) 來表示。您可透過降低金屬氧. 化半導體場效電晶體(MOSFET) 導通電阻(RDS(on)) 來減少. 傳導損耗。但降低低導通電阻也會導致裝置切換相關損耗.
![第5 章金氧半場效電晶體(MOSFETs)](https://api.multiavatar.com/%E7%AC%AC5+%E7%AB%A0%E9%87%91%E6%B0%A7%E5%8D%8A%E5%A0%B4%E6%95%88%E9%9B%BB%E6%99%B6%E9%AB%94%28MOSFETs%29.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
第5 章金氧半場效電晶體(MOSFETs)
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圖5.18: n- 通道MOSFET 在飽和區下包含輸出電. 阻ro 的大信號與等效電路模型。輸出電阻模擬. iD與iDS 的線性關係,即(5.27) 式。 63 ...
![總閘極電荷(Qg)](https://api.multiavatar.com/%E7%B8%BD%E9%96%98%E6%A5%B5%E9%9B%BB%E8%8D%B7%EF%BC%88Qg%EF%BC%89%7C+%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%B0%8F%E7%99%BE%E7%A7%91.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
總閘極電荷(Qg)
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這是關於總閘極電荷(Qg)的說明。總閘極電荷(Qg)是指為了導通(驅動)MOSFET所需注入到閘極電極的電荷量。 數值越小,開關損耗越小,從而可實現高速開關。