光學臨界尺寸
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多角度分光光譜臨界尺寸測量儀
https://www.quatek.com.tw
該技術能夠測量極小的線寬，在10nm以下的範圍內進行高精度測量。 依賴傳統橢偏儀或反射測量技術的現有測量工具在即時準確解析CD測量的能力方面受到限制，在設備研發過程中需要繁瑣的庫生成。
臨界尺寸之高解析度光學量測
https://ndltd.ncl.edu.tw
論文摘要臨界尺寸是在量測中所必須分辨的最小尺寸。在各種量測領域中，由於技術的發展與產品的更新，臨界尺寸也愈來愈微小。在半導體元件的製程中，臨界尺寸量測技術的發展 ...
TWI631314B
https://patents.google.com
利用光學臨界尺寸(ocd)計量之結構分析用於光學參數模型之最佳化方法、非暫時性之機器可存取儲存媒體及用以產生所模擬繞射信號以利用光學計量判定用以在晶圓上製造結構之晶 ...
台積電也得靠它，關鍵萊利公式扮演半導體製程微縮重要基礎
https://today.line.me
... 尺寸或臨界尺寸，而k1 為變因，λ 則是曝光機所用的光源波長，最後NA（Numerical Aperture）就是代表光學系統的數值孔徑。 利用此公式，在半導體製程中 ...
工學院專班半導體材料與製程設備學程
https://ir.lib.nycu.edu.tw
臨界尺寸(Critical Dimension, CD)量測的重要理由是為了確認晶圓製造. 故過程中，所有的線寬皆已精準控制。半導體製程中通常以掃瞄式電子顯. 微鏡(Scanning Electron ...
CN101174581A
https://patents.google.com
除了曝光区域间最佳化以外，曝光区域内临界尺寸均匀度最佳化亦可使用现有的SEM及光学临界尺寸工具来完成。曝光区域内临界尺寸均匀度最佳化以检查晶片上单个晶粒或一区域间 ...
以SRM技術監測微影製程控制因子與光阻
https://www.eettaiwan.com
在進階微影度量中，散射測量臨界尺寸(Scatterometry Critical Dimension，SCD)為一種用於控制製程時常見的度量方法，具有回報諸如臨界尺寸(CD)、光阻 ...