次臨界擺幅越小越好
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「次臨界擺幅越小越好」文章包含有：「1.1環繞式閘極電晶體與多晶矽薄膜電晶體回顧」、「亞閾值擺幅」、「半導體廠奈米級的奇「積」！科學家挑戰突破電晶體大小的極限」、「報告題名：鰭式電晶體矽鰭載子電荷分佈探討及可靠度研究」、「奈米電子元件」、「應用於超低功率互補式傾斜閘極穿隧場效電晶體之設計」、「第一章緒論」、「虛擬基板鍺含量對應變矽元件電性影響之研究」、「閘極蝕刻與鰭式結構對於場效電晶體特性...」
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1.1 環繞式閘極電晶體與多晶矽薄膜電晶體回顧
https://ir.nctu.edu.tw
次臨界擺幅和開關比， TriGate 則有比較小的漏電流。其中Ω-Gate 薄膜電晶體 ... 圖4-20即為圖4-19元件的反向量測，在此圖表現的特性中，In-ASY20 Ω-Gate. 有較好的次臨界擺幅 ...
亞閾值擺幅
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亞閾值擺幅是衡量晶體管開啓與關斷狀態之間相互轉換速率的性能指標，它代表源漏電流變化十倍所需要柵電壓的變化量，又稱為S因子，S越小意味着開啓關斷速率ON/OFF越快。
半導體廠奈米級的奇「積」！科學家挑戰突破電晶體大小的極限
https://pansci.asia
其中，次臨界擺幅（subthreshold swing）的定義為當汲極電流增加十倍時，所需要增加的閘極電壓，是衡量電晶體開、關狀態相互轉換的速率的一項重要性能指標。 致謝. 本文源 ...
報告題名： 鰭式電晶體矽鰭載子電荷分佈探討及可靠度研究
http://dspace.fcu.edu.tw
... 次臨界電流可能會造成很. 多但無用的功率消耗，次臨界擺幅斜率越大代表元件在截止區電流能. 迅速下降，元件開關速度較快，因此斜率越大越好→SS 值越小越好，. 須將次臨界 ...
奈米電子元件
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當通道越來越小、閘極氧化層厚度越. 來越接近物理極限的時候，漏電的問. 題直接影響到場 ... 其中可觀察. 到高效能多重奈米線通道多晶矽薄. 膜電晶體具有較佳的次臨限擺幅( ...
應用於超低功率互補式傾斜閘極穿隧場效電晶體之設計
http://rportal.lib.ntnu.edu.tw
首先我們可以從次臨界擺幅公式(2.2)中看到，汲極電流的對數值和閘. 極電壓成倒數關係，則代表當次臨界擺幅越小，在相同電壓條件下能夠產生. 更大的汲極電流變化量，而當 ...
第一章緒論
https://ir.nctu.edu.tw
3-2-2 次臨限擺幅(Subthreshold Swing). 次臨限擺幅的大小可以看出元件閘極對於通道的控制能力的好壞，其值越小代表控. 制能力越好。將圖3-2,圖3-3 所量測出來的閘極電壓 ...
虛擬基板鍺含量對應變矽元件電性影響之研究
https://tpl.ncl.edu.tw
另外,次臨界擺幅又可代表閘極對通道的控制能力,若次臨界擺幅數值越大,表示閘極對通. 道的控制能力越差。所以,整體來看應變矽技術雖然可以改善元件的臨界電壓與驅動電流等等 ...
閘極蝕刻與鰭式結構對於場效電晶體特性 ...
https://tdr.lib.ntu.edu.tw
明顯的，隨鰭寬度越來越窄，次臨界擺幅下降、臨界電壓上升，表示短通道效應. 得到控制，此結果相當直觀，因為鰭的寬度越小，離閘極較遠的通道載子越少，. 越容易完全空乏。