氧化亞銅半導體

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... 氧化亞銅薄膜均為p-type 半導體，計算. 其載子濃度顯示在35 °C 成長之薄膜為4.16 × 1016 cm-3，比65 °C 成長之氧化亞銅高約10. 倍(6.01 × 1015 cm-3 )。採用氙燈(強度在 ...

以化學浴沉積法製備CuO與Cu₂O及其特性分析

https://psroc2016.conf.tw

氧化銅(CuO)與氧化亞銅(Cu₂O)為p型的直接能隙半導體材料，其能隙分別為1.3eV及2.1eV，並能和n型半導體材料(如:二氧化鈦、氧化鋅等)結合形成異質接面結構，目前已廣泛 ...

半導體材料及奈米粒子的各種性質皆與其表面的晶面有極大的

http://elte-nthu.hct.tw

近期研究發現，半導體材料及奈米粒子的各種性質皆與其表面的晶面有極大的. 關係，如氧化亞銅(Cu2O)的導電性、光催化活性及光學性質都表現出晶面效. 應。氧化亞銅有立方體 ...

反應濺鍍氧化亞銅薄膜特性研究

https://ndltd.ncl.edu.tw

氧化亞銅為一直接能隙(2.0eV)的半導體材料，具有在可見光區內高吸收係數、低製造成本、無毒性且在地球上含量豐富之優點。其光電特性使其可應用於光敏元件及氣體感測器 ...

氧化亞銅

https://zh.wikipedia.org

氧化亞銅是化學式為Cu2O的無機化合物。它是銅的主要氧化物之一，另一種是氧化銅(CuO)。這種紅色固體是一些抗附著漆的成分。根據顆粒的大小，該化合物可能呈現黃色或紅色。

氧化亞銅太陽電池製作及其晶面再成長實驗

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如果溫度. 過低則會形成黑色氧化銅(CuO)，它無半導體的特性，是不會照光產生光電子的。 所以燒結溫度及時間對氧化亞銅光電池的製作扮演著很重要的角色。另外對晶體. 生長 ...

氧化銅(Copper(II) Oxide)

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銅常見的氧化物有兩種：氧化銅(Copper(II) oxide ... 銅片長時間暴露在空氣中，可氧化形成氧化亞銅 ... 氧化銅也應用成為p型半導體，因為其能帶差為1.2eV。

氧化鋅與氧化亞銅摻雜半導體材料特性分析研究

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摘要. 在本論文中，首先我們描述利用常壓式有機金屬化學氣相沉積來製備氧化鋅(ZnO)薄膜，其研究重點聚焦在正型氧化鋅之薄膜成長與特性探討，在Si(111)基板上沉積摻雜砷的正 ...

濕式製程成長氧化亞銅薄膜及熱退火處理對薄

http://ir.nptu.edu.tw