碳化矽長晶技術
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【碳化矽添新兵1】強勢進軍碳化矽長晶製造格棋化合物半導體 ...
https://tw.news.yahoo.com
... 矽」為主要材料的半導體，碳化矽的產能一直處於不足狀態；其中，最大挑戰在於「長晶」的難度高，台灣除了環球晶、盛新材料、穩晟外，相關技術大多掌握 ...
全球晶片荒！ 中山大學獨創長晶技術助攻產業升級
https://news.nsysu.edu.tw
國立中山大學晶體研究中心創全國大專校院之先，目前正自行研發晶體生長設備及相關技術，透過2200oC以上的超高溫生長出碳化矽晶體，是目前國內唯一具備生長6至8吋晶圓設備的 ...
格棋掌握SiC晶體成長獨家技術完成A輪募資15億元
https://news.cnyes.com
格棋化合物半導體(GCCS) 今(24) 日宣佈，公司掌握碳化矽(SiC) 單晶晶體成長技術、同時具備6 吋和8 吋晶體製程能力，近期完成新台幣15 億元的A 輪募資 ...
碳化矽(SiC)長晶與晶圓薄化設備的技術發展趨勢
https://ieknet.iek.org.tw
POPULAR熱門專區 ... 碳化矽(SiC)相較於矽(Si)，由於具備10倍的擊穿電場、3倍的能隙寬度、50倍的功率密度、3倍的熱導率，使得它比矽或其他化合物半導體，更適合作為電力電子 ...
碳化矽晶圓製程與磊晶品質分析
https://www.materialsnet.com.t
碳化矽晶圓的製造流程與矽晶圓有所不同，本文將從碳化矽的原料合成、長晶製程、晶圓製備與磊晶等流程進行說明，另外也將針對晶圓的缺陷、平整度、電阻率、 ...
碳化矽發展長晶為關鍵，台廠需加快腳步
https://technews.tw
目前全球碳化矽由美日廠商寡占，其中的關鍵因素之一為美日廠掌握基板料源，而基板的生產中，又以長晶難度最高，以傳統的矽材來說，通常費時約3-4天即可以 ...
第3類半導體晶片怎麼做？基板難在哪？圖解生產流程
https://www.bnext.com.tw
... 長晶（生長碳化矽單晶）做起，作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐，在高溫且密閉的空間使其昇華，讓晶源粉末的蒸汽冷凝後，附著在碳化矽晶種上。 碳化矽的長晶 ...
第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析
https://www.eettaiwan.com
事實上，生產SiC基板最困難的地方在於長晶技術，現有製程不僅複雜且晶體生長緩慢，欲大量製造難度極高。市場上具有SiC晶圓量產能力的公司，仍僅少數幾家 ...
車用半導體及IDM 是碳化矽晶圓6吋轉8吋「逼最兇的」
https://www.businesstoday.com.
環球晶圓在本屆光電展展出了8吋碳化矽（SiC）晶體長晶技術、6吋與8吋SiC晶片的超薄加工能力，以及在氮化鎵（GaN）磊晶領域等具高附加價值的利基產品，展現 ...