磊晶原理

晶圓薄膜epi

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磊晶. • 希臘字源. • epi: 往上. • taxy: 有次序的, 排列的. • 磊晶層為一生長在單晶基片上單晶層. → 基片和上層間存在一特定之晶體關係. 100}. 100}. 18. 磊晶應用: ...

有機金屬氣相磊晶系統及技術簡介

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... 磊晶(MOVPE) 系統之構造及其基本原理。自. 1968 年Manasevit 發明此種磊晶技術以來，由於MOVPE 系統可以大量成長化合物半導體磊. 晶片，又由於臺灣的LED、HBT、LD 產業 ...

碳化矽晶圓製程與磊晶品質分析

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原理為將高純碳化矽粉末原料放置於石墨坩堝中，在負壓或惰性氣體(低壓氬氣)的環境下加熱至1,800˚C以上，使碳化矽粉末原料因受熱分解昇華成Si、C、Si2C及 ...

磊晶

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磊晶(晶體)

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磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶 ...

磊晶氧化物薄膜的製成

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其工. 作原理是利用分子沉積在石英晶體上時石英晶體的. 質量改變，石英振盪器的振盪頻率會隨之改變。經. 由輸入被蒸鍍物質的密度，以(1) 式換算後可得到. 薄膜厚度，由公式 ...

第二章 實驗原理

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在磊晶的. 過程中，GaN 會先從Window 位置往上成長形成條狀的結構，從側面看可能. 呈現三角形或梯形，此時我們可以調變溫度與壓力來使GaN 側向成長，之. 後彼此接合並朝著+ ...