磊晶薄膜
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分子束磊晶技術之發展與磁性薄膜之製備應用
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本文介紹分子束磊晶法，及若干最新技術發展－厚度楔形以及溫度楔形技術。我們並將以磁. 性多層膜與CrPtx 合金膜為例，介紹這些新穎分子束磊晶技術在磁性薄膜之研究 ...
化學束磊晶系統成長氮化銦磊晶薄膜之製程研究
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本研究中使用的磊晶方式為電漿輔助化學束磊晶系統，可結合MBE 與. MOCVD 兩者之優點成長InN ，使用三甲基銦與電漿解離之氮原子做為V 族與III 族之來源，而影響InN. 結晶 ...
半導體薄膜材料有機金屬化學氣相沉積反應器之氣體動力 ...
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MOVPE) 技術發展已逾卅年，目前已可利用氣相. 磊晶技術製備IV 族材料如鑽石薄膜、碳化矽、介. 電材料如二氧化矽(SiO2) 與氮化矽(Si3N4)、金屬薄. 有機金屬化學氣相沉積( ...
寬能隙氧化物磊晶薄膜之製造方法
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本發明為一種寬能隙氧化物磊晶薄膜之製造方法,其利用一氧化物磊晶薄膜形成於基板,使其. 具較佳之物理特性,例如:電子漂移飽和速度快,介電常數小,熱穩定性好,且耐高溫。
成長溫度對InN 磊晶薄膜顯微結構之影響
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InN 磊晶薄膜在500 °C 左右時具有最. 快的成長速率，其薄膜最厚，缺陷密度最高，但薄膜表面相對較為平坦。成長溫度為550 °C 所得之InN. 磊晶薄膜已開始產生空孔，表面平坦 ...
材料工程與製造技術
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科學家將單晶薄膜稱為「磊晶(Epitaxy)」，必須在非常嚴格的條件下才能成長出來，一般半導體產業最常用來支撐薄膜的基板是矽晶圓，但是要在矽晶圓上成長各種不同材料的磊晶 ...
磊晶
https://www.appliedmaterials.c
磊晶用於在半導體製造中創造完美的矽晶體基底層，以便在晶體基底層上建構半導體元件、沉積具電性的晶體薄膜，或改變底層的機械特性以改善導電性。
磊晶氧化物薄膜的製成
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本文介紹使用分子束磊晶製成過渡. 金屬氧化物薄膜、多層膜、超晶格的方法，並且以氧化鐵相關的超晶格為例，說明薄膜的特. 質以及結構分析的過程。 磊晶氧化物薄膜的製成.
磊晶薄膜應變狀態對光電元件造成的影響
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然而，每個材料都有自己的晶格常數，若將晶格常數不同的材料透過磊晶技術結合在一起，量體較小薄膜勢必需要扭曲自己的晶格常數來配合其下基板的晶格常數，因此造成應變( ...