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長晶製程

「長晶製程」文章包含有:「【圖解】第3類半導體晶片怎麼做?基板難在哪?一次看懂生產...」、「半導體製程順序大公開!專家用11步驟告訴你」、「晶圓」、「碳化矽晶圓製程與磊晶品質分析」、「第3類半導體晶片怎麼做?基板難在哪?圖解生產流程」、「第二十三章半導體製造概論」、「長晶製程參數智能化解析──斷線率改善與控制」、「長晶過程生長異常,如何找出異常振動源?」

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【圖解】第3類半導體晶片怎麼做?基板難在哪?一次看懂生產 ...
【圖解】第3類半導體晶片怎麼做?基板難在哪?一次看懂生產 ...

https://tw.news.yahoo.com

要生產出碳化矽(SiC)單晶(monocrystal或single crystal)基板,須從長晶(生長碳化矽單晶)做起,作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐,在高溫且密閉的空間使 ...

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半導體製程順序大公開!專家用11步驟告訴你
半導體製程順序大公開!專家用11步驟告訴你

https://www.otsuka-tw.com

由上述可得知,半導體製程從長晶到完成部件為止,需要經過多道製程。每一道製程的良率,都關乎最後產品的性能。其中,例如:研磨液的界達電位、粒徑影響 ...

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晶圓
晶圓

https://zh.wikipedia.org

晶圓(英語:Wafer)是半導體晶體圓形片的簡稱,其為圓柱狀半導體晶體的薄切片,用於積體電路製程中作為載體基片,以及製造太陽能電池;由於其形狀為圓形,故稱為晶圓 ...

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碳化矽晶圓製程與磊晶品質分析
碳化矽晶圓製程與磊晶品質分析

https://www.materialsnet.com.t

經過長晶製程後之碳化矽晶體稱為晶柱或晶球(Boule),會與頂部之石墨坩堝黏附,因此需將兩者分離。分離後的晶球會進行以下的程序:磨除籽晶面與圓頂面、外 ...

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第3類半導體晶片怎麼做?基板難在哪?圖解生產流程
第3類半導體晶片怎麼做?基板難在哪?圖解生產流程

https://www.bnext.com.tw

要生產出碳化矽(SiC)單晶(monocrystal或single crystal)基板,須從長晶(生長碳化矽單晶)做起,作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐,在高溫且密閉的空間使 ...

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第二十三章半導體製造概論
第二十三章半導體製造概論

http://www.taiwan921.lib.ntu.e

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長晶製程參數智能化解析──斷線率改善與控制
長晶製程參數智能化解析──斷線率改善與控制

http://ielab.ie.nthu.edu.tw

原始的長晶製程資料中,共包含下述19 種製程參數:實際拉速、目. 標拉速、實際晶棒直徑、目標晶棒直徑、實際加熱器溫度、目標加熱器. 溫度、實際融湯溫度、實際晶轉、實際 ...

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長晶過程生長異常,如何找出異常振動源?
長晶過程生長異常,如何找出異常振動源?

https://www.goodtechnology.com

影響晶種生成品質因素很多,單晶矽圓片由普通矽砂拉製柴可拉斯基法將此多晶矽熔解,再於溶液內摻入一小粒的矽晶體晶種,然後將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶矽晶棒,由於 ...