障壁電壓意思
「障壁電壓意思」熱門搜尋資訊
Ch. 06 二極體特性03
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0.3V是鍺質pn接面的障壁電壓之近似值。 在崩潰前的電流，主要是由熱能產生之少數電流 載子所造成。
pn接面
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pn接面 編輯 ... 一塊半導體晶體一側摻雜成p型半導體，另一側摻雜成n型半導體，中間二者相連的接觸面間有一個過渡層，稱為pn接面、p-n接面（p-n junction）。pn接面是電子技術中 ...
pn接面二極體的動作原理
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... 障壁(Built-in potential barrier)，可以阻止任何流往另一邊的多數載子。在攝氏25度時，鍺(Ge)二極體的位能障壁約為0.3V，矽(Si)二極體則為0.7V。 內建電位障壁 ...
二極體
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... 電壓被用來貫通空乏區，導致形成一逆向的電壓源，此電壓源的電壓就稱為障壁電壓，矽二極體的障壁電壓約0.6V～0.7V，鍺二極體的障壁電壓約0.3～0.4V. 種類. 編輯. 二極體的 ...
二極體特性
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存在一個切入( 膝點) 電壓( 即障壁電壓). 鍺約0.2V. 矽約0.7V. 當外加電壓 ... 1−障壁電壓降. IF. Page 16. 二極體施以外加電壓. 因外加電壓的不同而 ...
享曆--技術支援--應用資訊-
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障壁電位又稱內建電壓(Built-in voltage)，為空乏區形成後，PN接面兩側之離子區產生的電位差。 PN接面的障壁電位與接面兩側的摻雜濃度有關，在室溫下，矽半導體的障壁電位約為0.7V，鍺半導體約為0.3V。 偏置在PN結上外加一定的電壓，稱為偏置。
有學半導體物理的脆友知道為什麼二極體參雜濃度上升時
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從物理意義上直觀解釋，PN junction在P/N接面處，因為濃度的差異，電洞(Hole)會從P擴散到N，電子(Electron)會由N擴散到P，形成空乏區(depletion region)，而 ...
第二章
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障壁電壓由二極體之材質決定，在室溫（25℃）下矽（Si）質二極體為0.5 伏特～ 電子數目增加而掉入空乏區（空乏區變小），障壁電壓會隨之降低。 Voltage, PIV），矽質二極體 ...
障壁電壓意思
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障壁電壓（Barrier Voltage）又稱為接面電壓（Junction Voltage），是指在半導體器件中，當PN 接面處於正向偏置（Forward Bias）時，電流開始流動之前所必須克服的一個電位障礙 ...
電子學考前筆記整理
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5. 區域內不含任何的電子與電洞，只有正離子與負離子3. 障壁電位：室溫下，矽約莫0.6-~0.7V、鍺約莫0.2-~0.3V 4. 順向偏壓之定義：P接正電壓、N接負電壓(或者接地)。