蝕刻選擇性意思：蝕刻技術
蝕刻技術
Ch9 Etching
http://homepage.ntu.edu.tw
▫ 自由基蝕刻純化學反應. ▫ 高選擇性; 等向性蝕刻. 物理蝕刻. ▫ 用鈍性離子如Ar+進行轟擊. ▫ 從表面物理性地移除物質. ▫ 非等向性輪廓; 低選擇性. ▫ 範例: Ar濺鍍 ...
Etch
https://www.appliedmaterials.c
... 選擇性地移除各層薄膜材料。一般而言，部分晶圓會在蝕刻時受到抗蝕刻「光罩」材料(如光阻劑) 或硬質光罩(如氮化矽) 所保護。 蝕刻製程是指介電質蝕刻或導體蝕刻，用以 ...
TWM544519U
https://patents.google.com
... 性的惰性氣體包括稀有氣體，但亦可以包括其他氣體，只要在（通常）痕量被捕陷在膜中時不會形成化學鍵合即可。 在先前描述中，出於解釋目的，已闡明瞭許多細節，以便 ...
乾蝕刻技術
http://mems.mt.ntnu.edu.tw
離子蝕刻兼具物理與化學的特性，係適當的選擇與薄膜進行反應(蝕. 刻) 之氣體，通入反應室中並解離成電漿，並施與一偏壓，讓離子轟擊與. 電漿蝕刻同時進行，所以具有某種 ...
什麼是蝕刻(Etching)？
http://improvementplan.blogspo
乾蝕刻最大優點即是『非等向性蝕刻』(anisotropic etching)。然而，(自由基Radical)乾蝕刻的選擇性卻比濕蝕刻來得低，這是因為乾蝕刻的蝕刻機制基本上 ...
刻蝕
https://zh.wikipedia.org
刻蝕（英語：etching）是半導體器件製造中利用化學途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。刻蝕對於器件的電學性能十分重要。如果刻蝕過程中出現失誤，將造成難以恢復 ...
蝕刻技術(Etching Technology)www.tool
https://beeway.pixnet.net
乾蝕刻最大優點即是『非等向性蝕刻』(anisotropic etching)如圖（二）（C）所示。然而，(自由基Radical)乾蝕刻的選擇性卻比濕蝕刻來得低，這是因為乾蝕刻 ...
蝕刻輪廓
http://homepage.ntu.edu.tw
第九章蝕刻. • 表面物質去除化的製程. • 化學蝕刻、物理蝕刻、複合蝕刻. • 選擇性蝕刻或整面全區蝕刻. • 選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. 蝕刻輪廓. 光阻.