蝕刻選擇性意思：刻蝕
刻蝕
Ch9 Etching
http://homepage.ntu.edu.tw
▫ 自由基蝕刻純化學反應. ▫ 高選擇性; 等向性蝕刻. 物理蝕刻. ▫ 用鈍性離子如Ar+進行轟擊. ▫ 從表面物理性地移除物質. ▫ 非等向性輪廓; 低選擇性. ▫ 範例: Ar濺鍍 ...
Etch
https://www.appliedmaterials.c
... 選擇性地移除各層薄膜材料。一般而言，部分晶圓會在蝕刻時受到抗蝕刻「光罩」材料(如光阻劑) 或硬質光罩(如氮化矽) 所保護。 蝕刻製程是指介電質蝕刻或導體蝕刻，用以 ...
TWM544519U
https://patents.google.com
... 性的惰性氣體包括稀有氣體，但亦可以包括其他氣體，只要在（通常）痕量被捕陷在膜中時不會形成化學鍵合即可。 在先前描述中，出於解釋目的，已闡明瞭許多細節，以便 ...
乾蝕刻技術
http://mems.mt.ntnu.edu.tw
離子蝕刻兼具物理與化學的特性，係適當的選擇與薄膜進行反應(蝕. 刻) 之氣體，通入反應室中並解離成電漿，並施與一偏壓，讓離子轟擊與. 電漿蝕刻同時進行，所以具有某種 ...
什麼是蝕刻(Etching)？
http://improvementplan.blogspo
乾蝕刻最大優點即是『非等向性蝕刻』(anisotropic etching)。然而，(自由基Radical)乾蝕刻的選擇性卻比濕蝕刻來得低，這是因為乾蝕刻的蝕刻機制基本上 ...
蝕刻技術
https://www.sharecourse.net
▫ Etch Selectivity (蝕刻選擇比, S=r. 1. /r. 2. ): ▫ Relative (ratio) of the ... 以活性離子蝕刻. 為例，就是利用電漿放電方式進. 行異向性蝕刻的方法。 ▫ 在電 ...
蝕刻技術(Etching Technology)www.tool
https://beeway.pixnet.net
乾蝕刻最大優點即是『非等向性蝕刻』(anisotropic etching)如圖（二）（C）所示。然而，(自由基Radical)乾蝕刻的選擇性卻比濕蝕刻來得低，這是因為乾蝕刻 ...
蝕刻輪廓
http://homepage.ntu.edu.tw
第九章蝕刻. • 表面物質去除化的製程. • 化學蝕刻、物理蝕刻、複合蝕刻. • 選擇性蝕刻或整面全區蝕刻. • 選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. 蝕刻輪廓. 光阻.