字元線位元線:讀取干擾
讀取干擾
NAND flash原理
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NOR快閃記憶體是由Intel公司開發的,是一種隨機訪問裝置,具有專用的地址和資料線(和SRAM類似),以位元組的方式進行讀寫,允許對儲存器當中的任何位置進行訪問,這使得 ...
什麼是半導體記憶體? 元件原理<SRAM
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字元線電位為high; 傳送Bit線的電位(D=low, D=high) → 它確定正反器的狀態 ... 字元線電位為off; 預充Bit線(D, D相同電位); 字元線電位為high; Bit線的狀態為low, ...
具容忍變異字元線驅動抑制機制之隨機存取記憶體
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在另一實施例中,位元線. B(n)設有位元線BL(n)與BLB(n),故存取開關PG包括了. 兩電晶體P1 與Pr 以作為兩個閘通電晶體。電晶體P1的兩. 通道端耦接於節點nl與位元線BLB(n)的 ...
快閃記憶體的原理:我們常用的USB 記憶體與記憶卡
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以圖中圈出來的儲存單元為例,讀取單元內的數值時,會在對應的字元線施加讀取用電壓,然後透過位元線讀取資訊。另一方面,消除或寫入資訊時,會對位元線施加寫入用 ...
知識力
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位元線(Bit line):用來偵測是否導通,讀取這個位元是0或1。 ➤字元線(Word line):控制閘極用來控制下方是否產生電子通道。
第二十一章記憶體電路
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不過,當記憶體陣列愈來愈龐大時,字組線與位元線的寄生電容將隨之增多,如此,. 不但讓操作速度變慢,也會徒增功率消耗,電路性能將嚴重退化。
記憶體Memory
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資訊存取時由字元線(Word Line, WL) 來控制電晶體開關,而位元線(Bit Line, BL) 則負責電荷的判讀和電容的充電。 漏電(leakage). 電容的電會從substrate漏掉導致電壓下降, ...
靜態隨機存取記憶體
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訪問SRAM時,字元線(Word Line)加高電位,使得每個基本單元的兩個控制開關用的電晶體M5與M6導通,把基本單元與位元線(Bit Line)連通。位元線用於讀取或寫入基本 ...