字元線位元線：具容忍變異字元線驅動抑制機制之隨機存取記憶體
具容忍變異字元線驅動抑制機制之隨機存取記憶體
NAND flash原理
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NOR快閃記憶體是由Intel公司開發的，是一種隨機訪問裝置，具有專用的地址和資料線（和SRAM類似），以位元組的方式進行讀寫，允許對儲存器當中的任何位置進行訪問，這使得 ...
什麼是半導體記憶體？ 元件原理＜SRAM
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字元線電位為high; 傳送Bit線的電位(D=low, D=high) → 它確定正反器的狀態 ... 字元線電位為off; 預充Bit線(D, D相同電位); 字元線電位為high; Bit線的狀態為low, ...
快閃記憶體的原理：我們常用的USB 記憶體與記憶卡
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以圖中圈出來的儲存單元為例，讀取單元內的數值時，會在對應的字元線施加讀取用電壓，然後透過位元線讀取資訊。另一方面，消除或寫入資訊時，會對位元線施加寫入用 ...
知識力
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位元線(Bit line)：用來偵測是否導通，讀取這個位元是0或1。 ➤字元線(Word line)：控制閘極用來控制下方是否產生電子通道。
第二十一章記憶體電路
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不過，當記憶體陣列愈來愈龐大時，字組線與位元線的寄生電容將隨之增多，如此，. 不但讓操作速度變慢，也會徒增功率消耗，電路性能將嚴重退化。
記憶體Memory
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資訊存取時由字元線(Word Line, WL) 來控制電晶體開關，而位元線(Bit Line, BL) 則負責電荷的判讀和電容的充電。 漏電(leakage). 電容的電會從substrate漏掉導致電壓下降， ...
讀取干擾
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如圖所示，若想讀取某一列(以淡綠色表示)，則必須對鄰近該列的字元線施加一較高電壓(以深綠色表示)。同時，每行位元線會選定一個記憶體單元，好讓裝置判讀其位元狀態， ...
靜態隨機存取記憶體
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訪問SRAM時，字元線（Word Line）加高電位，使得每個基本單元的兩個控制開關用的電晶體M5與M6導通，把基本單元與位元線（Bit Line）連通。位元線用於讀取或寫入基本 ...