optical critical dimension原理:讓摩爾定律成真的關鍵: 微影技術— 影響七十億以上個未來
讓摩爾定律成真的關鍵: 微影技術— 影響七十億以上個未來
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VeritySEM 10 關鍵尺寸(CD) 量測
https://www.appliedmaterials.c
Applied VeritySEM® 10 CD-SEM 量測系統專門用來精確量測由極紫外光(EUV) 和新興高數值孔徑(High-NA) EUV微影技術所定義的半導體元件的關鍵尺寸(critical dimension) ...
光學微影的限制
https://www.tsia.org.tw
微影品質可分成四大類:光阻分佈控制、疊層、下游相容性以及量產可行性。 光阻分佈控制 是線寬(CD)控制標準的超集合。對於許多顯影步驟而言,以正確尺寸刻出 ...
工學院專班半導體材料與製程設備學程
https://ir.lib.nycu.edu.tw
第二章、文獻回顧:包含半導體製程介紹、黃光微影製程原理介紹、臨界. 尺寸(Critical Dimension, CD)量測原理與控制方式、先進製程控制 ... Optical Lithography, SPIE vol.
更深、更清楚・微細深孔之非接觸透視先進封裝關鍵尺寸AI
https://www.nstc.gov.tw
... 原理為基礎,運用深紫外寬頻光源 ... World-leading, Innovative AI-powered Optical Measurement System for Advanced Package Critical Dimensions.
高深寬比微結構之創新光學散射關鍵尺寸量測技術
https://www.tiri.narl.org.tw
In this study, we proposed a novel optical critical dimension (OCD) metrology system for non- destructive inspection of high-aspect-ratio (HAR) ...
高深寬比微結構之創新性具高信噪比光學關鍵尺寸量測技術
https://www.hiwin.org.tw
本研究基於整合光譜反射法(Spectral reflectometry)與散射量測法(Scatterometry). 兩種光學關鍵尺寸量測方法(Optical critical dimension (OCD) metrology),發展出一. 種 ...