optical critical dimension原理:工學院專班半導體材料與製程設備學程

工學院專班半導體材料與製程設備學程

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由黃閔顯著作·2006·被引用1次—第二章、文獻回顧:包含半導體製程介紹、黃光微影製程原理介紹、臨界.尺寸(CriticalDimension,CD)量測原理與控制方式、先進製程控制...OpticalLithography,SPIEvol.。其他文章還包含有:「https」、「VeritySEM10關鍵尺寸(CD)量測」、「光學微影的限制」、「更深、更清楚・微細深孔之非接觸透視先進封裝關鍵尺寸AI」、「讓摩爾定律成真的關鍵:微影技術—影響七十億以上個未來」、「高深寬比微結構...

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VeritySEM 10 關鍵尺寸(CD) 量測
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https://www.appliedmaterials.c

Applied VeritySEM® 10 CD-SEM 量測系統專門用來精確量測由極紫外光(EUV) 和新興高數值孔徑(High-NA) EUV微影技術所定義的半導體元件的關鍵尺寸(critical dimension) ...

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光學微影的限制
光學微影的限制

https://www.tsia.org.tw

微影品質可分成四大類:光阻分佈控制、疊層、下游相容性以及量產可行性。 光阻分佈控制 是線寬(CD)控制標準的超集合。對於許多顯影步驟而言,以正確尺寸刻出 ...

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更深、更清楚・微細深孔之非接觸透視先進封裝關鍵尺寸AI
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https://www.nstc.gov.tw

... 原理為基礎,運用深紫外寬頻光源 ... World-leading, Innovative AI-powered Optical Measurement System for Advanced Package Critical Dimensions.

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讓摩爾定律成真的關鍵: 微影技術— 影響七十億以上個未來
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https://ee.ntu.edu.tw

R 代表光學微影的解析度極限,也就是至多可曝出多小的線寬,該線寬亦被稱為特徵或關鍵尺寸(fea- ture size or critical dimension);λ 表示在真空中光的波長,而目前 ...

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高深寬比微結構之創新光學散射關鍵尺寸量測技術
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https://www.tiri.narl.org.tw

In this study, we proposed a novel optical critical dimension (OCD) metrology system for non- destructive inspection of high-aspect-ratio (HAR) ...

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高深寬比微結構之創新性具高信噪比光學關鍵尺寸量測技術
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https://www.hiwin.org.tw

本研究基於整合光譜反射法(Spectral reflectometry)與散射量測法(Scatterometry). 兩種光學關鍵尺寸量測方法(Optical critical dimension (OCD) metrology),發展出一. 種 ...