passivation layer製程：半導體製程導論
半導體製程導論
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‧ 製程保護材料Protection Materials. ‧ 製程暫時保護層Temporary Protection Layer. ‧ 絕緣保護層Passivation Layer. ‧ 濕製程用高純度特用化學品High-Purity Specialty ...
TWI520243B
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一種半導體裝置的製造方法，包括：形成一保護(passivation)層於一基板上，其中一金屬墊埋入(embedded)該保護層中；沉積一第一介電層於該保護層上；施加一第一圖案化製程於 ...
半導體製程學習筆記
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(1) 做Contact的微影與蝕刻，再將光阻移除。 · (2) 做鎢的栓塞(Tungsten Plug，M0)：先以濺鍍方式沉積Ti作為黏合層(adhesion layer)，再沉積TiN在Ti上作為W ...
水平爐管個別原理
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3.對鹼金屬離子防堵能力很好，且不易被Moisture 所滲透，做為. Passivation。 因為LPCVD Nitride 沈積溫度太高，因此Passivation Layer 應用上， ... 製程應用廣泛，從MOS ...
第十章介電質薄膜SiO
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製程氣體入口. 裝載門. 晶圓. 中心區. 均溫區. 距離. 溫度. 晶舟. 4. 電漿增強型CVD 系統 ... • 氮化鈦-TiN-buffer layer. • 鎢金屬-栓塞. • 銅金屬-栓塞, conducting lines ...
PECVD護層薄膜應力形變對MOS起始電壓偏移之影響
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論文摘要對於0.5μm線寬的半導體製程而言，一般使用電漿增強化學氣相沈積(PECVD) 技術來沈積元件線路保護層(Passivation Layer) 的薄膜。在護層的薄膜中，經常使用雙層薄膜( ...
先進構裝
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應用在於封裝製程中助焊劑的清洗，提供凸塊於Reflow製程，一個乾淨的表面。助焊劑的用途為促進錫鉛之流動性，通常在助熔劑中會添加一些酸性成份以提高助熔劑之活性，如果 ...
半導體元件保護層蝕刻製程改善以降低聚合物殘留之研究
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The passivation layers of microchips inhibit the attacks from chemicals, moisture and contaminants to ensure reliable operation of electronic products. Silicon ...