HBM4：三星傳以4 奈米量產HBM4，對抗SK 海力士、台積電聯盟
三星傳以4 奈米量產HBM4，對抗SK 海力士、台積電聯盟
HBM4技術競賽，進入白熱化
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HBM4在堆疊的層數上也有所變化，除了首批的12層垂直堆疊，預計2027年記憶體廠商還會帶來16層垂直堆疊。堆疊技術的進步意味著在同一實體空間內可以容納更多 ...
《半導體》1310→2300 創意迎HBM4大商機外資狂升目標價
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亞系外資表示，看好下一代HBM對創意來說是一個機會，因為創意提供存儲晶片製造商SK海力士的基礎晶元設計，估計HBM4基礎晶片將可以貢獻創意2026年2~2.5億 ...
HBM4將影響以AI為中心的記憶體格局？
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HBM4也是目前HBM3標準的進階版，進一步提高了資料處理速度，同時保持更高的頻寬、更低的功耗，以及更大的每個晶和/或堆疊容量等基本特性。針對生成式人工 ...
抗台積三星要用4奈米產HBM4
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《韓國經濟日報》報導，三星電子為了在AI市場扳回一城，打算以4奈米製程量產第六代HBM4高頻寬記憶體晶片，結合自家晶片設計與代工製造的優勢，來 ...
高頻寬記憶體
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HBM4. 編輯. 為了打造能進行百億億次計算（英語：Exascale computing）的高效能電腦，慧與科技預測OPGHC HBM3+及HBM4將在2022年至2024年間發布。更為強大的堆疊能力及更 ...
三星傳以4奈米量產HBM4 對抗SK海力士台積聯盟
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《韓國經濟日報》15日引述未具名消息人士報導，三星準備運用4奈米製程，量產第六代HBM4的邏輯晶粒(logic die)。邏輯晶粒位於晶粒堆疊的最底層，為HBM的 ...
JEDEC 初步規定HBM4 規格，輝達Rubin 核心架構採用
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新HBM4 標準將規定24Gb 和32Gb 記憶體層級，並四層、八層、12 層和16 層TSV（Through-Silicon Via）堆疊。JEDEC 協會初步同意，速度傳輸達每秒6.4GT，討論 ...
HBM4標準敲定倒數計時堆疊介面擬擴展至2048位元
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HBM4標準敲定倒數計時堆疊介面擬擴展至2048位元 ... AI、高效運算（HPC）、高階繪圖和伺服器等資料密集型應用，高頻寬記憶體（HBM）消耗愈來愈多。國際 ...
HBM 4，即將完成
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據介紹，HBM4 是目前發布的HBM3 標準的進化版，旨在進一步提高資料處理速率，同時保持基本特性，例如更高的頻寬、更低功耗和更大的每個晶片和/或堆疊容量 ...